图 3 为 III 族氮化物半导体材料的禁带宽度和 a 轴晶格常数的变化, 包含了 考虑禁带宽度弯曲系数的情况, 可以看出唯独 InAlN 能和 GaN 实现晶格匹配. 晶格匹配 InAlN/GaN 异质结中, InAlN 势垒层处于无应变状态, 有效消除了应变相关的逆压电效应和可靠性问题. 和常规 1579 https://engine.scichina.com/doi/...