所谓III-V族化合物半导体,是指元素周期表中的III族与V族元素相结合生成的化合物半导体,主要包括镓化砷(GaAs)、磷化铟(InP)和氮化镓等。此类材料具有闪锌矿结构(Zincblende)结构。键结方式以共价键为主。由于五价原子比三价原子具有更高的阴电性,因此有少许离子键成份。正因为如此,III-V族材料置于电场中,晶格容易...
III-V族半导体材料:III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、 铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为:砷化镓 GaAs、磷化铟 InP。 磷化铟衬底:Indium Phosphide,磷和铟的化合物,其具有 饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转 换效率高、禁带宽度...
III-V族半导体 III-V族化合物是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他...
III-V族化合物半导体的晶体结构多为闪锌矿结构,III族元素原子与V族元素原子各自分别构成面心立方晶格,这两套面心立方晶格沿体对角线移动四分之一长度套构即得闪锌矿晶体结构。晶体内原子间主要以共价键相互结合,但同时还会形成部分离子键。 闪锌矿晶体结构 由于化合物半导体内两种元素原子的电负性存在差异,所形成的离子...
III-V族半导体,是以III族元素与V族元素化合形成的化合物半导体材料,常用的III族元素主要是硼、铝、镓、铟,常用的V族元素主要是氮、磷、砷、锑。III-V族半导体既包括第三代半导体材料,例如GaN,也包括第四代半导体材料,以GaSb、InAs为代表。从带隙来看,第四代半导体材料主要有两大发展方向,一是窄带隙半导体,二...
III-V族半导体 III-V族化合物是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他...
III-V族半导体,是以III族元素和V族元素化合形成的化合物半导体材料,由于其电子迁移率高、大尺寸晶体均匀性好、晶格匹配性好等优点,可广泛用于微电子、集成电路、激光通信等领域,拥有极大的发展空间,而今天做客Light人物的嘉宾便是长期从事II...
III-V族化合物半导体材料是由元素周期表中的IIIA族元素(如硼B、铝Al、镓Ga、铟In、铊Tl)和VA族元素(如氮N、磷P、砷As、锑Sb、铋Bi)组成的化合物半导体材料。以下是关于III-V族化合物半导体材料的详细解析如下: 一、基本定义 组成元素:III-V族化合物半导体材料由IIIA族和VA族元素化合而成。