1. 开关速度 SiC MOSFET具有更高的开关速度，原因在于碳化硅材料本身的高电子迁移率和高热导率。这使得SiC MOSFET在高频应用中表现出色，如电动汽车的车载充电器和高频逆变器。2. 导通压降 IGBT在中等电流密度下的导通压降通常低于SiC MOSFET，这使得IGBT在大电流应用中(如工业变频器和大功率逆变器)表现出色。然而，...
SiC MOSFET凭借其在材料特性、开关速度、高温工作能力以及热稳定性和使用寿命等方面的优势，正逐步成为电力电子领域的新宠。随着技术的进一步发展和成本的降低，预计SiC MOSFET将推动电力电子技术向更高效率、更小体积和更可靠的方向发展。
相比之下,SiC-MOSFET可在更宽的范围内保持低导通电阻。 此外可以看到,与150℃时的Si-MOSFET特性相比,SiC、Si-MOSFET的特性曲线斜率均放缓,因而导通电阻增加。但是SiC-MOSFET在25℃时的变动很小。在25℃环境下特性相近的产品,差距变大,温度增高时SiC-MOSFET的导通电阻变化较小。 2.关断损耗特性 前面多次提到过,SiC...
相比之下，SiC MOSFET的桥臂直通短路表现通常是电流瞬间大幅度增加，但随后在很短的时间内就达到峰值并...
此外,可以看到,与150℃时的Si MOSFET特性相比,SiC、Si-MOSFET的特性曲线斜率均放缓,因而导通电阻增加。但是,SiC-MOSFET在25℃时的变动很小,在25℃环境下特性相近的产品,差距变大,温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。 与IGBT的区别:关断损耗特性
其次,IGBT的可靠性比SiC MOSFET高,因为IGBT的结构相对简单,故障率较低。同时,IGBT具有更好的电容性能和更好的抗过压能力,适用于大功率、大电流的应用场景。譬如在DC-DC这种对环境要求不是很高、对重量和空间要求也不高的充电桩领域,想要替代成本具有优势的IGBT有很大的难度。
与Si-MOSFET的区别:驱动电压 SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比,由于漂移层电阻低,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。 导通电阻从Vgs为20V左右开始变化(下降)逐渐减少,接近最小值。一般的IGBT和Si- MOSFET的驱动电压为Vgs=10~15V,而siC...
SiC碳化硅MOSFET功率模块在电力电子应用中加速替代传统IGBT模块，主要得益于其材料特性、性能优势、成本下降趋势以及行业需求的综合推动。以下从技术、经济和应用三个维度展开分析：一、材料特性与性能优势 高频高效与低损耗 开关速度优势：SiC的电子饱和漂移速率是硅的2-3倍，其MOSFET的开关速度可达IGBT的10倍以上，且无...
SIC MOSFET是一种具有高效率、高温度、高压和高频等优势的宽禁带半导体器件,目前已经被广泛应用于电动汽车、光伏逆变器、电网和工业等领域。 SIC MOSFET分为平面型和沟槽型,沟槽型是未来发展方向。目前,市场上有多家公司推出了不同的SIC MOSFET产品和技术路线,如英飞凌的半包沟槽结构,罗姆的第四代双沟槽结构,富士电机...
- SiC MOSFET在导通损耗、开关频率和高温性能上优于IGBT,价格低于IGBT后,其在新能源汽车、光伏逆变器等高频高功率场景的替代速度加快。 - 例如,SiC MOSFET的开关损耗仅为IGBT的1/4,且无电流拖尾现象,系统效率提升显著。 2. **产业链重构与整合** - 价格战导致行业毛利率骤降,部分企业6英寸外延片毛利率从55%跌...