试说明IGBT和电力MOSFET各自的优缺点。ﻩIGBT:优点:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小。缺点:
此外,由于MOSFET的正向特性对温度具有很强的正向依赖性,因此,IGBT的高温特性更好,导通电压比MOSFET低。 IGBT适用于中到极高电流的传导和控制,而MOSFET适用于低到中等电流的传导和控制。 IGBT不适合高频应用,它能在千Hz频率下运行良好。MOSFET特别适合非常高频的应用,它可以在兆Hz频率下运行良好。 IGBT的开关速度比较...
1 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但耐压能力没有IGBT强。 2 IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ。 3 就其应用:根据其特点MO...
低噪声:MOSFET的内部结构使其具有较低的噪声水平,适合需要高精度和低噪声的应用。 易于驱动:MOSFET是电压控制型器件,驱动电路相对简单,无需复杂的推动级。 缺点 电流承受能力较差:与IGBT相比,MOSFET的电流承受能力较弱,在大电流条件下的性能较差。 导通电阻较大:MOSFET的导通电阻通常较大,这可能导致在导通状态下产生...
1. IGBT的优点包括开关速度高、开关损耗小、耐脉冲电流冲击能力强、通态压降较低、输入阻抗高，并且是电压驱动，驱动功率小。缺点是开关速度低于电力MOSFET，电压和电流容量不及GTO。2. GTR的优点是耐压高、电流大、开关特性好、通流能力强，饱和压降低。缺点是开关速度低，采用电流驱动，所需的驱动功率...
MOSFET的特点:优点:①、输入阻抗高,属于电压型控制器件 2、开关速度快 3、热稳定性好 缺点:①、电压还不能太高,电流容量也不能太大,目前只适川 与小功率电力电子变流装置 ②、由于输入阻抗太高,存在静电击穿可能 TGBT的特点:综合了 MOSFET与GTR的优点(即驱动功率小,工作频率高,饱和压 降小及容量大),是很...
解:对 IGBT、 GTR、 GTO和电力 MOSFET的优缺点的比较如下表: 器 件 优 点 缺 点 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的 开关速度低于电力 MOSFET,电压,电流容量不 IGBT 能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动, 及GTO 驱动功率小 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和 开关速度低,为电流驱...
MOSFET的种类很多,但最能与IGBT相媲美的是功率MOSFET。它专为处理重要的功率水平而设计。它们仅在“开”或“关”状态下使用,这导致它们成为使用最广泛的低压开关。与IGBT相比,功率MOSFET在低电压工作时具有换流速度更快和效率更高的优点。 更重要的是,它可以维持高阻断电压并保持高电流。这是因为大多数功率MOSFET结...
IGBT:IGBT是一种通过结合MOSFET和双极型晶体管的特点,以达到高阻抗控制和低开启电压的功率晶体管。IGBT有三个极:发射极、集电极和栅极。它将栅极的控制转换为集电极与发射极之间的电压。 二、性能比较 接下来,我们将比较MOSFET和IGBT在不同方面的性能,以了解它们的特点。
mosfet的优点决定了它非常适合高频且开关速度要求高的应用。在开关电源(smps)中，mosfet的寄生参数至关重要，它决定了转换时间、导通电阻、振铃(开关时超调)和背栅击穿等性能，这些都与smps的效率密切相关。对于门驱动器或者逆变器应用，通常需要选择低输入电容(利于快速切换)以及较高驱动能力的mosfet。igbt...