MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了以上两种器件的优点，驱动功率小，饱和电压降低。非常适合用于直流电压600V及以上的变流系统，如交流电机、逆变器、开关电源、照明电路、牵引驱动等领域。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极晶体管）和FWD（续流二极管）通过特定的电路桥封装而成的...
IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。 IGBT驱动电路的作用及基本特点 驱动电路的作用是将微处理器输出的脉冲进行功率放大,以驱动...
MOSFET:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor。即金属氧化物半导体场效应晶体管。名字一定是和它的材料、结构强相关的。我们结合MOSFET的管子结构图来理解一下,如下图所示: 电极采用了金属,在金属下面有一层氧化层,然后是掺杂的半导体区域,将这样的结构用来构成上面提到的FET,由此便构成了MOSFET。MOSFET也有...
碳化硅MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一种半导体器件,它的工作原理是通过控制门电压来控制通过源极和漏极的电流。 2023-02-15 15:43:12 IGBT单管简述 ---一、简述大家都知道,IGBT单管相当的脆弱,同样电流容量的IGBT单管,比同样电流容量的MOSFET脆弱多了,也就是说,在逆变H桥里头,MOS...
l 从几十伏到100MV的汽车应用领域,MOSFET是比较常见的。IGBT则常见用于电网供电的传动中;中等电压的传动则使用晶体管和门极关断晶闸管型的器件。 l 可用于发电机系统,超长距离高压直流输电等等 功率半导体器件作为电力电子技术的心脏,它能做到高效率的能量转换。因此,对于任何希望对世界可持续发展做出贡献的电气工程师...
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一种用于电力控制的器件。它和类双极主导电沟道的MOSFET的结构类似。它们一般用于漏源电压范围在200-3000伏的运行。功率MOSFET仍然被选择为漏源电压在1到200伏时的器件.ISFET是离子敏感的场效应晶体管（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）,它用来测量溶液中的离子浓度。
1 确定igbt门极容量 在设计和选购igbt 驱动器之前,必须首先知道igbt 的门极负荷q,这是一个十分重要的参数,但在igbt 的技术参数中生产厂家一般并不直接给出,而需要我们借助其它参数得到。igbt 具有mosfet 的输入级,在igbt的技术资料中往往有一个参数ciss,一般我们把它叫作输入电容,该电容的测试往往是在ugs=0,...
百度试题 结果1 题目简述半导体材料的基本特性。相关知识点: 试题来源: 解析 答案:半导体材料的基本特性包括:介于导体和绝缘体之间的电导率;温度敏感性;具有P型和N型两种类型;可以通过掺杂改变其导电性能。反馈 收藏
简单介绍TOREX功率MOSFET 。功率MOSFET和IGBT具备隔离的栅极体,因此更容易驱动器。功率MOSFET的缺点是增益小,偶尔栅极驱动的电压甚至是少于实际要控制的电压。 TOREX功率MOSFET是通用型N/P通道MOSFET,具备低导通电阻和高速电源开关特性。适合于各种设备应用,如继电器电路和开关电源电路 ...