中科院分区标准:中科院分区采用金字塔型结构,顶级期刊数量较少,随着区别的增加,期刊数量也相应增加。具体划分如下:1区:各类期刊三年平均影响因子的前5%。2区:影响因子前6%~20%。3区:影响因子前21%~50%。4区:影响因子后50%。JCR分区标准:JCR分区,也称为汤森路透分区法,将某一学科的所有期刊按照上一年的影响因子...
01IEEE Transactions on Electron Devices 【影响因子】2.9 【分区】JCR2区中科院2区 【ISSN】0018-9383 【年发文量】1100篇左右 推荐理由：本刊主要发表互连装置的理论、电子和离子集成电路器件、设计和可靠性、建模等方面的内容。年发文>1000+，退稿率<20%，几乎沾边就发， 门槛很低放心冲!02IEEE Systems Jour...
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES为电子器件领域的学术研究提供了一个重要的平台。目前,该期刊处于中科院二区,IF3.1,自引率很稳定,发文量巨大,国人占比20.5%,投稿指数四颗星。
3区。下面是Ieee Transactions On Electron Devices期刊近9年JCR分区变化趋势: Ieee Transactions On Electron Devices期刊近9年JCR分区变化趋势222223333IEEE T ELECTRON DEV2013年2014年2015年2016年2017年2018年2019年1.7522.252.52.7533.25JCR分区趋势图杂志网(zazhifabiao.com) 《Ieee Transactions On Electron Devices...
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES是由电气和电子工程师协会(Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.)出版,每月出版一次,研究领域主要涉及电子工程和电气工程。在JCR和中科院的分区评定中,该期刊位于二区。根据分区水平来看,投稿到该期刊的难度不小。
IEEE Transactions On Electron Devices(Ieee Transactions On Electron Devices)在中科院分区中位于2区,JCR分区位于Q2。审稿速度一般为 约4.7个月 ,且近两年没有被列入国际预警名单,您可以放心投稿。如果您需要投稿指导,可在线咨询我们的客服老师,我们将竭诚为您服务。
期刊名称IEEE Transactions on Electron Devices IEEE T ELECTRON DEV 期刊ISSN0018-9383 期刊官方网站https://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16 是否OANo 出版商Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 出版周期Monthly
《IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES》在中科院升级版中,大类工程技术位于2区,小类物理:应用位于2区,工程:电子与电气位于3区,非综述类期刊。 在JCR分区中,物理:应用、工程:电子与电气均位于Q2。 4.研究范围 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES的研究范围主要涵盖电子器件和半导体技术的各个方面,包括以下内容...
The IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quant...
IEEE Transactions on Electron Devices：大类二区，小类三区。器件类顶刊之一，但设计类工作也有涉及，...