中科院分区标准:中科院分区采用金字塔型结构,顶级期刊数量较少,随着区别的增加,期刊数量也相应增加。具体划分如下:1区:各类期刊三年平均影响因子的前5%。2区:影响因子前6%~20%。3区:影响因子前21%~50%。4区:影响因子后50%。JCR分区标准:JCR分区,也称为汤森路透分区法,将某一学科的所有期刊按照上一年的影响因子...
01IEEE Transactions on Electron Devices 【影响因子】2.9 【分区】JCR2区中科院2区 【ISSN】0018-9383 【年发文量】1100篇左右 推荐理由：本刊主要发表互连装置的理论、电子和离子集成电路器件、设计和可靠性、建模等方面的内容。年发文>1000+，退稿率<20%，几乎沾边就发， 门槛很低放心冲!02IEEE Systems Jour...
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES为电子器件领域的学术研究提供了一个重要的平台。目前,该期刊处于中科院二区,IF3.1,自引率很稳定,发文量巨大,国人占比20.5%,投稿指数四颗星。
3区。下面是Ieee Transactions On Electron Devices期刊近9年JCR分区变化趋势: Ieee Transactions On Electron Devices期刊近9年JCR分区变化趋势222223333IEEE T ELECTRON DEV2013年2014年2015年2016年2017年2018年2019年1.7522.252.52.7533.25JCR分区趋势图杂志网(zazhifabiao.com) 《Ieee Transactions On Electron Devices...
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES是由电气和电子工程师协会(Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.)出版,每月出版一次,研究领域主要涉及电子工程和电气工程。在JCR和中科院的分区评定中,该期刊位于二区。根据分区水平来看,投稿到该期刊的难度不小。
IEEE Transactions On Electron Devices(Ieee Transactions On Electron Devices)在中科院分区中位于2区,JCR分区位于Q2。审稿速度一般为 约4.7个月 ,且近两年没有被列入国际预警名单,您可以放心投稿。如果您需要投稿指导,可在线咨询我们的客服老师,我们将竭诚为您服务。
期刊名称IEEE Transactions on Electron Devices IEEE T ELECTRON DEV 期刊ISSN0018-9383 期刊官方网站https://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16 是否OANo 出版商Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 出版周期Monthly
《IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES》在中科院升级版中,大类工程技术位于2区,小类物理:应用位于2区,工程:电子与电气位于3区,非综述类期刊。 在JCR分区中,物理:应用、工程:电子与电气均位于Q2。 4.研究范围 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES的研究范围主要涵盖电子器件和半导体技术的各个方面,包括以下内容...
中科院SCI期刊分区 大类学科小类学科Top综述 工程技术3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气3区 否 否 PHYSICS, APPLIED 物理:应用3区CiteScore CiteScore排名CiteScoreSJR SNIP 学科 排名 百分位 5.8 0.785 1.223 EngineeringElectrical and Electronic Engineering 221/797 72% Materials ...
IEEE Transactions on Electron Devices：大类二区，小类三区。器件类顶刊之一，但设计类工作也有涉及，...