中科院二区,IF3.1,国人占比20.5%! IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES是一个由IEEE出版的同行评审期刊,致力于发表电子器件领域的原创研究和技术应用。该期刊涵盖了半导体器件、光电子器件、微电子器件、集成电路、功率器件、传感器等方面的研究内容。 1.期刊基本信息 研究方向:电子器件 出版周期:Monthly 出版年份:195...
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES是由电气和电子工程师协会(Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.)出版,每月出版一次,研究领域主要涉及电子工程和电气工程。在JCR和中科院的分区评定中,该期刊位于二区。根据分区水平来看,投稿到该期刊的难度不小。 ISSN:0018-9383 近期想要快速发表文章的同学可以添...
https://eds.ieee.org/publications/transactions-on-electron-devices http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16 3、投稿网址:http://mc.manuscriptcentral.com/ted 4、官网邮箱:giovanni.ghione@polito.it(主编) (更多编辑邮箱请查看期刊官网信息) ...
IEEE Transactions On Electron Devices(Ieee Transactions On Electron Devices)在中科院分区中位于2区,JCR分区位于Q2。审稿速度一般为 约4.7个月 ,且近两年没有被列入国际预警名单,您可以放心投稿。如果您需要投稿指导,可在线咨询我们的客服老师,我们将竭诚为您服务。
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES简称:IEEE T ELECTRON DEV 大类:工程技术 小类:工程:电子与电气 ISSN:0018-9383 ESSN:1557-9646 IF值:2.704 出版地:UNITED STATES 点击咨询相似期刊 声明:①本页面非期刊官网,不以期刊名义对外征稿,仅展示期刊信息做参考.投稿、查稿,请移步至期刊官网. ②如果您是期刊负责...
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES影响因子(IF)3.221属于物理,应用SCIE(Q2)区、工程、电气和电子SCIE(Q2)区适宜工程技术、物理学者发表,IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES录用难度较易,审稿周期,历年影响因子分析、投稿官网地址等信息请点击杂志详情页查询。
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES SCISCIE ISSN:0018-9383 研究方向:工程技术 出版周期:Monthly 是否OA:No ESSN:1557-9646 国际简称:IEEE T ELECTRON DEV 年发文量:759 出版地:UNITED STATES 官网:http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16 约4.7个月审稿时间 3区中科院分区 较易平...
5、IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESissn:0018-93832018-2019最新影响因子:2.704出版地:UNITED STATES出版周期:Monthly审稿速度:网友分享经验:约4个月平均录用比例:网友分享经验:较易6、IEEE TRANSACTIONS ON DIELECTRICS AND ELECTRICAL INSULATIONissn:1070-9878...
期刊名称 IEEE Transactions on Electron DevicesIEEE T ELECTRON DEV 期刊ISSN 0018-9383 期刊官方网站 https://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16 是否OA No 出版商 Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 出版周期 Monthly 文章处理费 登录后查看 始发年份 年文章数 1084...