中科院二区,IF3.1,国人占比20.5%! IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES是一个由IEEE出版的同行评审期刊,致力于发表电子器件领域的原创研究和技术应用。该期刊涵盖了半导体器件、光电子器件、微电子器件、集成电路、功率器件、传感器等方面的研究内容。 1.期刊基本信息 研究方向:电子器件 出版周期:Monthly 出版年份:195...
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES是由电气和电子工程师协会(Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.)出版,每月出版一次,研究领域主要涉及电子工程和电气工程。在JCR和中科院的分区评定中,该期刊位于二区。根据分区水平来看,投稿到该期刊的难度不小。 ISSN:0018-9383 近期想要快速发表文章的同学可以添...
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-...
IEEE Transactions On Electron Devices(Ieee Transactions On Electron Devices)在中科院分区中位于2区,JCR分区位于Q2。审稿速度一般为 约4.7个月 ,且近两年没有被列入国际预警名单,您可以放心投稿。如果您需要投稿指导,可在线咨询我们的客服老师,我们将竭诚为您服务。
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES影响因子(IF)3.221属于物理,应用SCIE(Q2)区、工程、电气和电子SCIE(Q2)区适宜工程技术、物理学者发表,IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES录用难度较易,审稿周期,历年影响因子分析、投稿官网地址等信息请点击杂志详情页查询。
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES SCISCIE ISSN:0018-9383 研究方向:工程技术 出版周期:Monthly 是否OA:No ESSN:1557-9646 国际简称:IEEE T ELECTRON DEV 年发文量:759 出版地:UNITED STATES 官网:http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16 约4.7个月审稿时间 3区中科院分区 较易平...
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES期刊基本信息 投稿咨询 官方网站:http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16 投稿网址:https://mc.manuscriptcentral.com/ted PMC链接:http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=0018-9383%5BISSN%5D IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES中文简介 ...
The IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quant...
IEEE Transactions on Electron Devices:大类二区,小类三区。器件类顶刊之一,但设计类工作也有涉及,...