《IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS》 期刊名缩写:IEEE ELECTR DEVICE L 22年影响因子:4.816 issn:0741-3106 eIssn:1558-0563 类别:工程技术物理 学科与分区:工程、电气和电子(ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC) - SCIE(Q1) 出版国家或地区:UNITED STATES...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS《IEEE电子器件快报》 (官网投稿) 简介 期刊简称IEEE ELECTR DEVICE L 参考译名《IEEE电子器件快报》 核心类别 高质量科技期刊(T2), SCIE(2024版), 目次收录(维普), 目次收录(知网),外文期刊, IF影响因子 自引率11.00% 主要研究方向工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS简称:IEEE ELECTR DEVICE L 大类:工程技术 小类:工程:电子与电气 ISSN:0741-3106 ESSN:1558-0563 IF值:3.753 出版地:UNITED STATES 点击咨询相似期刊 声明:①本页面非期刊官网,不以期刊名义对外征稿,仅展示期刊信息做参考.投稿、查稿,请移步至期刊官网. ②如果您是期刊负责人且不...
Med. Biol. Electron Device Letters, IEEE IEEE Electron Device Lett. Electron Devices Society, Journal of IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices, IEEE Transactions on IEEE Trans. Electron Devices Electronics Packaging Manufacturing, IEEE Transactions on IEEE Trans. Electron. Packag. Manuf. (...
《IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS》——工程技术-工程:电子与电气领域学术期刊,是本由英国工程技术学会(IET)于1980年创办的半月刊,现由Wiley出版。期刊主编为来自英国伦敦帝国理工学院的Chris Toumazou教授和英国巴斯大学的Ian White教授。 ISSN:0741-3106 01 影响因子 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS影响因子近年来持续上升...
《IEEE Electron Device Letters》在中科院2023年12月最新升级版中,大类学科工程技术位于2区,小类工程:电子与电气位于2区,非综述类期刊。 在JCR分区中,工程:电子与电气位于Q2。 03分区预测 《IEEE Electron Device Letters》近年来中科院分区等级十分稳定,维持2区,水平较高,期刊影响因子、发文量呈现向上的趋势,自引...
IEEE Electron Device Letters 参考译名 IEEE电子器件快报 收藏年代 1998～2007全部1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2005, vol.26, no.1 2005, vol.26, no.10 2005, vol.26, no.11 2005, vol.26, no.12 2005, vol.26, no.2 2005, vol.26, no.3 2005, vol.26, no.4 ...
0741-3106IEEE ELECTR DEVICE LIEEE ELECTRON DEVICE LETTERS工程:电子与电气ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC1工程技术2详情 注:本目录分类来源于中国科学院,参考“期刊印证报告”(JCR),所收集信息仅供科学研究使用。
《IEEE Electron Device Letters》 上发表类脑神经器件重要成果 近日,青岛大学电子信息(微纳技术)学院单福凯教授课题组在神经形态电子器件领域取得重要进展,该课题组利用电纺ZnSnO纳米线作为沟道材料,成功研制出低功耗纳米线突触晶体管。 利用...