IEEE Electron Device Letters的文章格式要求是按照IEEE模板进行排版。作者可以在IEEE官网上找到最新的模板下载,并按照模板中的说明进行排版。文章应该采用双栏排版,具有专业的排版风格。 文章的标题应该简洁明了,能够反映文章的主题。标题应该突出研究的重点,吸引读者的注意。 正文部分应该分为引言、方法、结果和讨论、结论...
ieee electron device letters, vol. 下载积分: 1100 内容提示: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 30, NO. 7, JULY 2009721New Organic Phototransistor With Bias-ModulatedPhotosensitivity and Bias-Enhanced Memory EffectHsiao-Wen Zan and Shih-Chin KaoAbstract—A simple and effective method to adjust ...
IEEEELECTRONDEVICELETTERS,VOL.27,NO.5,MAY2006313 Collector-PedestalInGaAs/InPDHBTsFabricatedin aSingle-Growth,Triple-ImplantProcess NavinParthasarathy,ZachGriffith,ChristophKadow,UttamSingisetti,MarkJ.W.Rodwell,Fellow,IEEE, Xiao-MingFang,DmitriLoubychev,YingWu,Member,IEEE,JoelM.Fastenau,Member,IEEE,...
刊名IEEE Electron Device Letters 参考译名IEEE电子器件快报 收藏年代1998～2007 全部 199819992000200120022003 2004200520062007 题名作者出版年年卷期 Strained-SOI n-Channel Transistor With Silicon-Carbon Source/Drain Regions for Carrier Transport EnhancementKing-Jien Chui; Kah-Wee Ang; Hock-Chun Chin; Chen She...
期刊简称IEEE ELECTR DEVICE L 参考译名《IEEE电子器件快报》 核心类别 高质量科技期刊(T2), SCIE(2024版), 目次收录(维普), 知网外文库,外文期刊, IF影响因子 自引率11.00% 主要研究方向工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程:电子与电气 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS《IEEE电子器件快报》(月刊). ...
期刊名称:《IEEE Electron Device Letters》 | 2013年第10期 关键词: Charge trapping; FinFET; logic device; multigate FET; negative bias temperature instability (NBTI); 2.Elimination of Gate Leakage in GaN FETs by Placing Oxide Spacers on the Mesa Sidewalls 机译:通过在台面侧壁上放置氧化物垫...
IEEEELECTRONDEVICELETTERS,VOL.25,NO.5,MAY2004323 CharacterizingDiodesforRFESDProtection GuangChen,HaigangFeng,HaoluXie,RouyingZhan,QiongWu,XiaokangGuan, AlbertWang,SeniorMember,IEEE,KaoruTakasuka,SatoruTamura,ZhihuaWang,and ChunZhang Abstract—Adiodestringasanelectrostaticdischarge(ESD) ...
近日,中国科学院上海技术物理研究所王鹏青年研究员(第11批会员)、胡伟达研究员(第1批会员,优秀会员)团队在国际电子器件领域顶刊《IEEE Electron Device Letters》发表了最新研究成果“Sharp Interface Blocked Impurity Band Very Long-Wavelengt...
《IEEE 电子器件字母》(Ieee Electron Device Letters)是一本以工程技术-工程:电子与电气综合研究为特色的国际期刊。该刊由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商创刊于1980年,刊期Monthly。该刊已被国际重要权威数据库SCIE收录。期刊聚焦工程技术-工程:电子与电气领域的重点研究和前沿进展,及时刊...
IEEE Electron Device Letters录用(附投稿状态回馈小木虫) 论文道贺祈福 论文道贺 第7页 小木虫 论坛