当然这个Overlap还有个问题就是GIDL,这个也会贡献Leakage使得BV降低。 上面讲的就是MOSFET的击穿的三个通道,通常BV的case以前两种居多。 上面讲的都是Off-state下的击穿,也就是Gate为0V的时候,但是有的时候Gate开启下Drain加电压过高也会导致击穿的,我们称之为 On-state击穿。这种...
第3期2012年6月No.3June20124rim超薄栅nMOSFET中漏电压对栅控产生电流影响研究术陈海峰,过立新,商世广(西安邮电学院电子工程学院,陕西西安710121)摘要:研究了90nmCMOS-Y-艺T4nm超薄栅氧化层LDDnMOSFET中漏电压对栅调制产生电流的影响,随着的增加,曲线上升沿不变,而下降沿向右漂移,这归因于增大引发了闽值电压增大所...
LTC4268-1 High Power PD With Synchronous No-Opto Flyback Controller Description Features Robust 35W PD Front End IEEE 802.3af Compliant n Rugged 750mA Power MOSFET With Precision Dual Level Current Limit n High Performance Synchronous Flyback Controller n IEEE Isolation Obtained Without an Opto-Isol...
高压功率VDMOS管的设计研制 随着功率电子器件进一步向高压、高频、大电流方向发展,VDMOS晶体管的市场将会越来越广阔。通过综合各种模型,优化外延层厚度和掺杂浓度,设计了高压VDMOS器件的元胞图形... 王英,何杞鑫,方绍华 - 《电子器件》 被引量: 75发表: 2006年 Trench MOSFET的研究与进展 研究总结了功率MOSFET器件...
1）用于电动工具的MOSFET 用于电子烟的MOSFET 碳化硅SIC新能源汽车充电桩方案 方案应用背景：电动汽车充电，要求高功率、高直流电、大容量、高压电池快速充电、高可靠性、高效率、最少的产热量，所以需要一颗损耗小，速度快，高功率器件。雷卯碳化硅SIC 二极管和SIC MOSFET可应用在充电桩的重要电路PFC和全桥LLC，改善...
EEJ-L1VD156R CAPACITOR SMD TANT 15uF 35V EEV-FK1C101P CAPACITOR ELECTROLYTIC SMD EEV-FK1H470P CAPACITOR ALUM ELECT SMD 47uF EEV-FK1H470XP CAPACITOR ELECTROLYTIC SMD EEV-HA1H470XP CAPACITOR ELECTROLYTICSMD 47uF EF4442CM MICROCIRCUIT EF6223 CAPACITOR, POLY. .022MF 630V EFA4442CMG MICROCIRCUIT ...
ASICDesign1第二章:CMOS逻辑1.CMOS晶体管2.CMOS制作工艺3.CMOS设计规则4.组合逻辑单元5.时序逻辑单元6.数据路径逻辑单元7.I/O单元8.单元编译器(Compilers)×ASICDesign22.1CMOSTransistorsPolysiliconAluminum由N沟和P沟MOS构成NMOS立体图图2.3NMOS的导电机理耗尽区——导电沟道的形成(Vgs>Vtn)——Ids形成(Vds>0)NMO...
Figure.1. Typical CC/CV Curve Features ? Up to 5% Precision for Constant Voltage Regulation(CV) and Constant Current Regulation(CC) at Universal AC input ? Primary-side sensing and regulation operates in QR mode without TL431 and opto-coupler ? Built-in 650V power MOSFET ? Less than 75mW...
开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关晶体管开通和关断的时间比率,维 持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制 IC 和 MOSFET 构成.开关电源和线性电源相比,二者的成本都随着输出功率的增加而增 长,但二者增长速率各异.线性电源成本在某一输出功率点上,反而高于开关电源, 这一点称为成本...
60A Integrated PowIRstage® IR3550 FEATURES Peak efficiency up to 95% at 1.2V Integrated driver, control MOSFET, synchronous MOSFET and Schottky diode Input voltage (VIN) operating range up to 15V Output voltage range from 0.25V to Vcc-2.5V, or to 5.5V if internal ...