i-line光刻机采用的是i线光源,波长为365纳米。它通过以下几个步骤实现光刻的机制: 1. 掩膜对准:首先,在光刻胶上覆盖一层掩膜,掩膜上有芯片的电路图案。将掩膜放置在与光刻胶相接触的位置,并通过对准系统进行对准,确保掩膜上的图案与光刻胶的位置完全匹配。 2. 光刻胶涂覆:将光刻胶涂覆在硅片上,形成一层均...
365nm。曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为365nm。波长（wavelength），是指波在一个振动周期内传播的距离。也就是沿着波的传播方向，相邻两个振动位相相差2π的点之间的距离。
这个专利概述中不是说了嘛,紫外窄光谱,这个说的是激发光源是NUV谱400-300nm的汞灯光源,也就是i-line 对应365nm波长光源线。但是这个按国内的镜头只能做到200nm精度。 国内现在拿出成品销售的上海微电子SEEE,可做IC前道加工的600系列光刻机。i-line汞灯光源,只能加工200nm, 后面有用ARF和KRF激光光源的。也只到1...
第一二代光刻机均为接触接近式光刻机，曝光方式为接触接近式，G线（G-line）光刻机，使用的是436nm波长的光源。而I线（I-line）使用的是365nm波长的光源，这两种光刻机，也叫做紫外光刻机。而第三代升级为投影式光刻机，利用光学透镜可以聚集衍射光提高成像质量将曝光方式升级为光学投影式光刻，以扫描的方式...
而I线(I-line)使用的是365nm波长的光源,这两种光刻机,也叫做紫外光刻机。 而第三代升级为投影式光刻机,利用光学透镜可以聚集衍射光提高成像质量将曝光方式升级为光学投影式光刻,以扫描的方式实现曝光。这一代叫做KrF光刻机,采用248nm光源的光刻机。 第四代的ArF光刻机,与第三代KrF原理一样,但光源升级,采用...
从官方公布的参数来看,NSR-2205iL1 曝光光源是 i-line(365nm波长),分辨率≤350nm,NA为 0.45,最大曝光场22 mm x 22 mm。 主要优点 1、提供卓越的经济承受能力,同时支持各种需求 NSR-2205iL1 将提供高生产率,同时通过使用多点自动对焦 (AF) 的高精度晶圆测量、先进的晶圆平台调平(通过倾斜放置晶圆的工作台来...
在传统的光刻工艺中,i-line、KrF和ArF是三种常用的激光曝光光源。本文将分别介绍这三种光阻的polymer(聚合物)。i-line光阻的polymeri-line(波长为365nm)是最早应用于半导体制造过程中的激光曝光技术。i-line光阻的polymer通常是由甲基丙烯酸酯(Methacrylic ester)系列聚合物或乙烯基苯(Styrene)系列聚合物构成。这些...
从官方公布的参数来看,NSR-2205iL1 曝光光源是 i-line(365nm波长),分辨率≤350nm,NA为 0.45,最大曝光场22 mm x 22 mm。 主要优点 1、提供卓越的经济承受能力,同时支持各种需求 NSR-2205iL1 将提供高生产率,同时通过使用多点自动对焦 (AF) 的高精度晶圆测量、先进的晶圆平台调平(通过倾斜放置晶圆的工作台来...
2、光刻机的光源包括汞灯光源、准分子激光光源、氟激光光源。其中,汞灯光源光刻机应用广泛。根据光刻机光源波长的不同,光刻机分别称之为g-line,h-line,i-line。其中,g-line光刻机光源的波长为436nm,h-line光刻机光源的波长为405nm,i-line光刻机光源的波长为365nm。波长越长,工艺能力越差,做出来的最小尺...
第一二代光刻机均为接触接近式光刻机,曝光方式为接触接近式,G线(G-line)光刻机,使用的是436nm波长的光源。而I线(I-line)使用的是365nm波长的光源,这两种光刻机,也叫做紫外光刻机。 而第三代升级为投影式光刻机,利用光学透镜可以聚集衍射光提高成像质量将曝光方式升级为光学投影式光刻,以扫描的方式实现曝光...