I-line光刻胶,这种对i-line(波长365nm)紫外光敏感的材料,在微电子制造中扮演着至关重要的角色。它主要用于中等线宽尺寸的图案制作,其精确度可达亚微米级别。那么,这种神奇的光刻胶到底是由哪些成分构成的呢?让我们一探究竟!🌿 光敏剂:光刻胶的灵魂首先,光敏剂是光刻胶中的核心成分。它对紫外光极为敏感,一旦...
i-line光刻机采用的是i线光源,波长为365纳米。它通过以下几个步骤实现光刻的机制: 1. 掩膜对准:首先,在光刻胶上覆盖一层掩膜,掩膜上有芯片的电路图案。将掩膜放置在与光刻胶相接触的位置,并通过对准系统进行对准,确保掩膜上的图案与光刻胶的位置完全匹配。 2. 光刻胶涂覆:将光刻胶涂覆在硅片上,形成一层均...
365nm。曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为365nm。波长（wavelength），是指波在一个振动周期内传播的距离。也就是沿着波的传播方向，相邻两个振动位相相差2π的点之间的距离。
这个专利概述中不是说了嘛,紫外窄光谱,这个说的是激发光源是NUV谱400-300nm的汞灯光源,也就是i-line 对应365nm波长光源线。但是这个按国内的镜头只能做到200nm精度。 国内现在拿出成品销售的上海微电子SEEE,可做IC前道加工的600系列光刻机。i-line汞灯光源,只能加工200nm, 后面有用ARF和KRF激光光源的。也只到1...
从官方公布的参数来看,NSR-2205iL1 曝光光源是 i-line(365nm波长),分辨率≤350nm,NA为 0.45,最大曝光场22 mm x 22 mm。 主要优点 1、提供卓越的经济承受能力,同时支持各种需求 NSR-2205iL1 将提供高生产率,同时通过使用多点自动对焦 (AF) 的高精度晶圆测量、先进的晶圆平台调平(通过倾斜放置晶圆的工作台来...
在传统的光刻工艺中,i-line、KrF和ArF是三种常用的激光曝光光源。本文将分别介绍这三种光阻的polymer(聚合物)。i-line光阻的polymeri-line(波长为365nm)是最早应用于半导体制造过程中的激光曝光技术。i-line光阻的polymer通常是由甲基丙烯酸酯(Methacrylic ester)系列聚合物或乙烯基苯(Styrene)系列聚合物构成。这些...
i-Line光刻机是一种使用波长为365nm的光源进行曝光的光刻设备,主要用于半导体制造过程中的图形转移。 市场竞争:相比更高级的ArF、ArFi和EUV光刻机,i-Line光刻机在高端市场的份额逐渐减少,主…
主要性能:分辨率≤350nmNA(孔径)0.45光源 i-line(波长:365 nm)缩小倍率1:5最大曝光场22×22mm叠加精度SMO:≤70nm 尼康指出,随着电动汽车、高速通信和各种 IT 设备的普及,支持这些应用的半导体需求呈指数级增长。这些半导体必须执行各种具有挑战性的功能,因此,设备制造商需要专门的基板和曝光系统来制造这些芯片。
从官方公布的参数来看,NSR-2205iL1 曝光光源是 i-line(365nm波长),分辨率≤350nm,NA为 0.45,最大曝光场22 mm x 22 mm。 主要优点 1、提供卓越的经济承受能力,同时支持各种需求 NSR-2205iL1 将提供高生产率,同时通过使用多点自动对焦 (AF) 的高精度晶圆测量、先进的晶圆平台调平(通过倾斜放置晶圆的工作台来...
I-line光刻胶是一种用于光刻过程的光敏材料,它对i-line(波长365nm)的紫外光有反应。I线光刻胶适用于中等线宽尺寸的图案制作。具体的适用线宽范围会根据光刻胶的特性、曝光条件和制程要求而有所变化。一般而言,I线光刻胶可实现亚微米级别的线宽。 I-line光刻胶的主要组成部分包括:光敏剂:这是光刻胶中最重要的...