SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探...
表面平整度对high k metal gate膜层结构的稳定性有作用 。沉积技术的优劣影响膜层的均匀性 。在集成电路中,该膜层结构助力提升芯片性能 。优化的膜层结构可提高器件的开关速度 。热稳定性是衡量high k metal gate膜层结构的重要指标 。膜层之间的界面特性影响电荷输运 。精确的光刻技术用于确定膜层结构的图案 ...
网络高电介质金属栅极;金属闸;金属闸极 网络释义
集成电路材料研究 半导体设备与材料2022-11-11 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。 HKMG: 微缩与性能的突...
海力士:引领High-k/Metal Gate工艺变革 描述 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处...
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM,即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行...
-Gate Last工艺是为了减轻高K材料反应性问题而开发的,通过在源漏区域形成和激活后才沉积高K介质和金属栅,降低不良反应的可能性。 -费米能级金属钉住是高K金属栅极技术的另一个挑战,当金属栅材料的工作函数在特定能级固定时,会导致晶体管的阈值电压偏移,影响性能。
MOS晶体管需要有较高的栅电容以把电荷吸引至沟道中。这使SiO2栅介质必须非常薄(例如在65 nm工艺中为10.5-12A, 只有4个原子层厚)。当小于这样的厚度时,栅泄漏将增加到不可接受的程度,使传统的按比例尺寸缩小不再…
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行...
因此为了能够很好的解决漏电问题，Intel采用了铪基High-K(高K)栅电介质+MetalGate(金属栅)电极叠层...