由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。 厚度挑战: 需要全新的解决方案 组成...
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。 HKMG: 微缩与性能的突破 在2005年前后,逻辑半导体中基于多晶硅栅极(Po...
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。 厚度挑战: 需要全新的解决方案 组成...
为了避免这一难题,Intel首先形成具有高k介质和标准多晶硅栅的晶体管。在完成晶体管和形成层间介质后,将圆片抛光使多晶硅栅外露并通过刻蚀将不希望有的多晶硅除去。然后在这一沟槽上淀积一层薄的金属栅。 注意, nMOS和pMOS管要求具有不同功函数的不同金属。最后, 这一沟槽用一层较厚的铝层填充以得到较低的栅电阻...
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM,即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行...
因此为了能够很好的解决漏电问题，Intel采用了铪基High-K(高K)栅电介质+MetalGate(金属栅)电极叠层...
而传统的二氧化硅栅极介电质的工艺已遇到瓶颈，无法满足45nm处理器的要求，因此为了能够很好的解决漏电问题，Intel采用了铪基High-K(高K)栅电介质+Metal Gate(金属栅)电极叠层技术。相比传统工艺，High-K金属栅极工艺可使漏电减少10倍之多，使功耗也能得到很好的控制。而且，如果在相同功耗下，理论上性能...
有效氧化物厚度（EOT）与材料介电常数成正比，6nm厚的HfO2提供相当于1nm SiO2的EOT。多晶硅与高K介质界面形成的耗尽层加大了TOX，对性能不利，同时，存在阈值电压钉扎和声子散射等效应，使多晶硅栅与高K介质不兼容，影响低阈值和迁移率。Intel的45nm工艺转而采用金属栅以解决这些问题，并减少栅电阻。金...
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行...
-Gate Last工艺是为了减轻高K材料反应性问题而开发的,通过在源漏区域形成和激活后才沉积高K介质和金属栅,降低不良反应的可能性。 -费米能级金属钉住是高K金属栅极技术的另一个挑战,当金属栅材料的工作函数在特定能级固定时,会导致晶体管的阈值电压偏移,影响性能。