这使得名为高k/金属栅极的集成解决方案应运而生,该解决方案将高介电常数栅氧化层与金属电极相结合。 图4. 采用HKMG的效果 为了将SiON/Poly栅极转换为HKMG栅极,对相关工艺的几个部分进行了更改,包括在DRAM工艺流程中形成外围电路(外围晶体管)的栅极材料(SiON/Poly栅极拔出→HKMG电极插入)。然而,必须对HKMG材料、工...
在学术界和工业界,研究人员研究了多种高k薄膜材料。通常情况下,基于Hf的栅氧化层用于高温半导体制造工艺,因为它们可以确保自身和硅的热稳定性。为了防止现有多晶硅电极材料与高k栅氧化层之间的相互作用,必须引入金属电极来代替多晶硅。这使得名为高k/金属栅极的集成解决方案应运而生,该解决方案将高介电常数栅氧化层与...
海力士:引领High-k/Metal Gate工艺变革 描述 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处...
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM,即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨...
按照这一想法采取的第一个步骤是大约在130nm工艺节点前后,人们引人了氮来形成氮氧化物( oxynitride)栅介质,称为氮氧化硅(SiON), 它能提供的K值为4.1-4.2。高K介质于 2007年开始进入商品制造,首先就是 Intel 45 nm工艺采用的基于铪(hafnium)的材料。氧化铪(Hafilium oxide, 即HfO2 )的k=20 。 有效氧化物...
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。
-Gate Last工艺是为了减轻高K材料反应性问题而开发的,通过在源漏区域形成和激活后才沉积高K介质和金属栅,降低不良反应的可能性。 -费米能级金属钉住是高K金属栅极技术的另一个挑战,当金属栅材料的工作函数在特定能级固定时,会导致晶体管的阈值电压偏移,影响性能。
因此为了能够很好的解决漏电问题，Intel采用了铪基High-K(高K)栅电介质+MetalGate(金属栅)电极叠层...
我们选择了台湾半导体制造有限公司 (TSMC)和三星(Samsung)的高介电层/金属闸 (high-k metal gate)高性能低功耗工艺技术,以使新一代 FPGA 能最大限度地降低静态功耗,确保发挥28 纳米技术所带来的最佳性能和功能优势。” 与标准的高性能工艺技术相比,高性能低功耗工艺技术使得 FPGA 的静态功耗降低了 50%,较低的...
关于HKMG——high-K metal gate 随着晶体管尺⼨的不断缩⼩，HKMG技术⼏乎已经成为45nm以下制程的必备技术。HKMG制造的晶体管结构和原来的平⾯晶体管相同，只是以High-K绝缘层代替传统的SiO2氧化层，并以⾦属材料栅极代替原来的硅材料栅极，其优势是可以提⾼晶体管的开关速度，并减⼩栅极的漏电流。High-...