这使得名为高k/金属栅极的集成解决方案应运而生,该解决方案将高介电常数栅氧化层与金属电极相结合。 图4. 采用HKMG的效果 为了将SiON/Poly栅极转换为HKMG栅极,对相关工艺的几个部分进行了更改,包括在DRAM工艺流程中形成外围电路(外围晶体管)的栅极材料(SiON/Poly栅极拔出→HKMG电极插入)。然而,必须对HKMG材料、工...
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 中国半导体论坛 振兴国产半导体产业! 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著...
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探...
为了防止现有多晶硅电极材料与高k栅氧化层之间的相互作用,必须引入金属电极来代替多晶硅。这使得名为高k/金属栅极的集成解决方案应运而生,该解决方案将高介电常数栅氧化层与金属电极相结合。 图4:采用HKMG的效果 为了将SiON/Poly栅极转换为HKMG栅极,对相关工艺的几个部分进行了更改,包括在DRAM工艺流程中形成外围电路(...
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM,即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。
这使SiO2栅介质必须非常薄(例如在65 nm工艺中为10.5-12A, 只有4个原子层厚)。当小于这样的厚度时,栅泄漏将增加到不可接受的程度,使传统的按比例尺寸缩小不再能继续下去。我们知道简单的SiO2的介电常数k =3.9。根据等式COX = EOX / TOX,如果能找到具有较大介电常数的材料,那么栅就可以采用较厚的介质,得到高...
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。
因此为了能够很好的解决漏电问题，Intel采用了铪基High-K(高K)栅电介质+MetalGate(金属栅)电极叠层...
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。