北京工业大学和中国北京大学报道了碳化硅衬底(GaN/SiC)上由氮化镓制成的全垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)的性能,通过使用超薄的氮化镓铝(AlGaN)缓冲层而不是更常见的复杂、厚的AlN/AlGaN结构[Yuting Sun et al,Semicond. Sci.Technol.,2024年1月24日在线发布]。该团队评论说:“这种外延策略也可以通过在单个平台上结...
GaN-on-Si外延片主要用于制造电力电子器件。2.1.3 碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）GaN-on-SiC结合了SiC优异的导热性和GaN高功率密度、低损耗能力，衬底上的器件可在高电压和高漏极电流下运行，结温将随RF功率缓慢升高，RF性能更好，目前多数GaN射频器件的衬底都是SiC。受限于SiC衬底，目前尺寸仍然限制在4寸与6寸...
在性能方面，GaN-on-SiC相对更好，但价格明显高于GaN-on-Si。GaN-on-SiC结合了SiC优异的导热性，以及GaN的高功率密度、低损耗能力，与Si相比，SiC是一种非常“耗散”的衬底，此基板上的器件可以在高电压和高漏极电流下运行，结温将随射频功率而缓慢升高，因此，其射频性能更好，是射频应用的理想材料。在相同的...
Si衬底成本低,GaN-on-Si生长速度较快,较容易扩展到8英寸晶圆;GaN-on-Si是硅基工艺,与CMOS工艺兼容性好,使GaN器件与CMOS工艺器件能很好地集成在一个芯片上,可以利用现有硅晶圆代工厂进行规模量产。GaN-on-Si外延片主要用于制造电力电子器件。 2.1.3 碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC) GaN-on-SiC结合了SiC优异的导热...
GaN-On-SiC（碳化硅基氮化镓）结合了SiC优异的导热性和GaN高功率高频的特点，目前已广泛应用于5G基站、国防领域射频前端的功率放大器（PA）。在RF GaN行业，碳化硅基氮化镓也确实是一位当之无愧的老前辈。 除了在军用雷达方面的深度渗透外，由于能够更好满足5G技术的高功率、高频率及宽禁带等要求，也一直是华为、...
全球范围内，GaN on SiC功率放大器主要生产商包括Qorvo、Wolfspeed、Microchip Technology、中电科13所、中电科55所、RFHIC、MACOM、Altum RF、ReliaSat (Arralis)等，其中前五大厂商占有大约82%的市场份额。目前，全球核心厂商主要分布在美国。就产品类型而言，目前低功率放大器是最主要的细分产品，占据大约58.2%的份额...
GaN-on-Si外延片主要用于制造电力电子器件,其技术趋势是优化大尺寸外延技术。 • GaN-on-SiC:结合了SiC优异的导热性和的GaN高功率密度和低损耗的能力,是RF的合适材料。受限于SiC的衬底,目前尺寸仍然限制在4寸与6寸,8寸还没有推广。GaN-on-SiC外延片主要用于制造微波射频器件。 • GaN-on- sapphire:主要...
Macom的GaN-on-SiC项目获得《芯片与科学法案》资金 原创：化合物半导体杂志 340万美元的美国国防部项目将为高压毫米波材料和MMIC开发工艺 美国半导体公司Macom Technology被选定领导一个开发项目，为射频和微波应用开发先进的GaN-on-SiC工艺技术。该项目由美国国防部（DoD）的《芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act...
相比SiC，GaN器件此前已经在LED照明、快充及无线充电、5G射频通信等领域得到了大量使用。除此之外，汽车、工业和数据中心预计也将成为GaN器件未来新的增长驱动力。垂直GaN功率器件可以通过延长电动汽车的行驶里程和缩短充能时间来提高电动汽车的基本性能，预计未来将有显著的需求增长。同时，电网也是垂直结构GaN器件的另一...
Near-Junction Thermal Management of GaN-on-SiC MMIC Power Amplifier Through Substrate Embedded Microchannel Self-heating inhibits the electrical characteristics improvement of GaN devices. The local hotspots generated in the gate region significantly affect the o... D Lu,Y Ye,R Liu,... - 《IEEE ...