得益于GaN晶体管,高压LLC中的频率最高 2. 客户收益 完整的电源解决方案(PSU):包括单相PFC + DCDC 混合开关设计(Si、SiC 和 GaN):实现出色的系统性能 最高效率和功率密度 符合ORv3服务器外形规范 减少电容器的使用数量和体积,提升可靠性,缩小系统尺寸 可作为参考板使用 3. 产品技术亮点 CoolSiC™ MOSFET 650...
这使得在高功率高温等极限场景应用中,SiC 占据统治地位;而 GaN 具有更高的电子迁移率,因而能够比 SiC 或 Si 具有更高的开关速度,在高频率应用领域,GaN 具备优势。简单来说就是,SiC 如果用在我们日常的手机充电器上,其实有点大材小用,这其中也牵扯到成本的问题,综合下来其实 GaN 更为合适。 SiC 的主要应用场...
英飞凌是业界领先的功率半导体单管和模块供应商,能提供优化电力生产、传输、储存和使用的技术。英飞凌也是目前市场上少数几家能够全面提供硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的公司之一,能提供从毫瓦级到兆瓦级的具备卓越能效的解决方案。 在功率半导体器件中,IGBT是这一领域第三次技术革命的代表性产品,而英飞...
SiC MOSFET是目前倍受工业界关注的SiC半导体器件,其导通电阻小、开关速度快、驱动简单、允许工作温度高等特点,能够提高电力电子装置的功率密度和工作环境温度,适应当前电力电子技术发展的趋势,也是被认为是Si基IGBT的理想替代者(夺权时间待定)。相对而言,SiC MOSFET的工艺步骤更复杂、难度更高,制造工艺的研发时间较长,这...
日前,在IPF2024的活动现场,达新半导体副总经理张海涛在现场发表了《Si/SiC/GaN 功率器件技术路线对比浅析》主题演讲。 演讲围绕三种功率器件的多个技术路线进行对比,包括器件参数与测试、材料与工艺、可靠性思考及器件应用、未来发展预期等多个角度,深度剖析了Si/SiC/GaN 三种功率器件。
SiC和GaN、Si等功率开关,特性都各有不同,因此可以说最贵的、最新的也未必是最好的,还得要看适不适合实际的应用场景。 以开头我们说到的英飞凌PSU方案为例,8kW PSU方案中,AC-DC级采用了多级PFC和SiC MOSFET,令该部分的效率高达99.5%,功率密度也达到100W每立方英寸;而DC-DC级上采用了GaN FET。
采用GaN(氮化镓)和 SiC(碳化硅)组合的电力电子技术正在成为推动电气化驱动的重要趋势。 虽然硅(Si)在电力半导体领域长期占据主导地位,但其物理性能的限制已无法满足现代电动汽车(EV)和数据中心等高性能应用的需求。 GaN 和 SiC 通过其独特的材料特性,在提高效率、降低损耗以及实现更高功率密度方面展现出巨大的潜力。然...
我们期望在高效率、小尺寸、高功率的AC适配器中更多地见到GaN的身影。 目前在GaN HEMT功率晶体管市场已经有许多参与者,包括相对较新的初创企业和大型成熟企业。Si和SiC技术似乎已有独立的市场利基,我们期待看到创新持续增长且不断发展,GaN也能成为适配器领域有力的竞争者。
Si/SiC/GaN功率器件技术路线对比浅析 虽然目前主流的功率器件依然是Si基半导体器件,但新能源电动汽车的快速发展加快了SiC器件产业化,开关频率更高的GaN器件在手机充电器、微型逆变器等领域也大放异彩,今天给大家分享一篇达新半导体张海涛博士的关于三种功率器件技术路线对比的文章,干货满满。
Si功率器件是主流,最重要的原因在于成本。Si材料的击穿电压是三者中最低,而SiC和GaN属宽禁带半导体材料,具有更高的带隙,更大的击穿电压。 高击穿电压的特性让SiC和GaN在大功率、超高电压控制方面的应用更有前景。但是因为产业链协同发展的阶段不同,与成熟的Si产业链相比,SiC和GaN无论是工艺水平还是供给规模都远远...