据了解，Si与GaN在晶格参数和热膨胀系数上分别有17%与46%的极大差异，以致硅基上生长出的GaN单晶往往会出现龟裂等缺陷，良品率较低。在相同条件下，SiC 的器件的可靠性和使用寿命均胜过Si。据陈志泰称，在硅衬底上，GaN必须生长 5μm 厚度才能达到良好的质量，但GaN-On-SiC只需长到 2μm厚 。而随着 SiC ...
据了解,Si与GaN在晶格参数和热膨胀系数上分别有17%与46%的极大差异,以致硅基上生长出的GaN单晶往往会出现龟裂等缺陷,良品率较低。在相同条件下,SiC 的器件的可靠性和使用寿命均胜过Si。 据陈志泰称,在硅衬底上,GaN必须生长 5μm 厚度才能达到良好的质量,但GaN-On-SiC只需长到 2μm厚 。而随着 SiC 衬底...
北京工业大学和中国北京大学报道了碳化硅衬底(GaN/SiC)上由氮化镓制成的全垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)的性能,通过使用超薄的氮化镓铝(AlGaN)缓冲层而不是更常见的复杂、厚的AlN/AlGaN结构[Yuting Sun et al,Semicond. Sci.Technol.,2024年1月24日在线发布]。该团队评论说:“这种外延策略也可以通过在单个平台上结...
据了解,Si与GaN在晶格参数和热膨胀系数上分别有17%与46%的极大差异,以致硅基上生长出的GaN单晶往往会出现龟裂等缺陷,良品率较低。在相同条件下,SiC 的器件的可靠性和使用寿命均胜过Si。 据陈志泰称,在硅衬底上,GaN必须生长 5μm 厚度才能达到良好的质量,但GaN-On-SiC只需长到 2μm厚 。而随着 SiC 衬底...
GaN-On-SiC(碳化硅基氮化镓)结合了SiC优异的导热性和GaN高功率高频的特点,目前已广泛应用于5G基站、国防领域射频前端的功率放大器(PA)。 在RF GaN行业,碳化硅基氮化镓也确实是一位当之无愧的老前辈。 除了在军用雷达方面的深度渗透外,由于能够更好满足5G技术的高功率、高频率及宽禁带等要求,也一直是华为、诺基亚...
以GaN-on-SiC技术为主导,垂直一体化技术在国防和5G电信领域都得到了广泛的应用. 在防御部分,雷神公司、诺思罗普格鲁曼公司和中国CETC公司正在引领GAN的采用。 值得注意的投资包括:沃尔夫斯皮尔投资10亿美元,目标是在2024年前扩大产能;NXP的第一个6“FAB于2020年在美国亚利桑那州开业;中国SICC在上海投资新建6”工厂;以...
,采用SiC的解决方案的面积不到千分之一。另一方面,目前市场上的GaN功率组件则以GaN-on-SiC及GaN-on-Si两种晶圆进行制造,其中GaN-on-SiC在散热性能上最具优势,相当适合应用在 Elva_chen 2019-05-09 06:21:14 世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底 近年来,半绝缘SiC衬底上外延生长的GaN高迁移率晶体管(GaN-...
Integra 的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC、GaN/SiC)HEMT 射频功率晶体管器件是射频功率晶体管技术中的最新产品。它们提供从 UHF 到 C 波段微波频率的高增益和高功率水平,并且它们的碳化硅 (SiC) 基板提供出色的热量提取,以实现长期可靠性和最佳功率密度。这套固态射频功率晶体管包括可提供高达 77% 功率效率和高达 120...
美国半导体公司Macom Technology被选定领导一个开发项目,为射频和微波应用开发先进的GaN-on-SiC工艺技术。 该项目由美国国防部(DoD)的《芯片与科学法案》(CHIPS and Science Act)资助,将专注于为高压和毫米波频率下高效工作的GaN基材料和MMIC开发半导体制造工艺。 Macom是宽禁带半导体商业跃进(CLAWS)微电子共享中心的成...
美国半导体公司Macom Technology被选定领导一个开发项目,为射频和微波应用开发先进的GaN-on-SiC工艺技术。 该项目由美国国防部(DoD)的《芯片与科学法案》(CHIPS and Science Act)资助,将专注于为高压和毫米波频率下高效工作的GaN基材料和MMIC开发半导体制造工艺。