GaN on SiC射频器件报告主要研究企业名单如下,也可根据客户要求增加目标企业:Sumitomo Electric Device Innovations (SEDI)、MACOM (OMMIC)、Qorvo、NXP Semiconductors、Mitsubishi Electric、RFHIC Corporation、英飞凌、Microchip Technology、东芝、Altum RF、ReliaSat (Arralis)、Skyworks、SweGaN、Analog Devices Inc、Aether...
据玖越机器人了解,2022年5月,ST和MACOM宣布射频GaN-on-Si原型芯片制造成功,ST表示相关器件已达到成本和性能目标,完全能够与市场上现有的LDMOS和GaN-on-SiC技术展开有效竞争,同时这些原型即将进入认证测试和量产阶段,GaN-on-Si射频商用进程正在加速。 在GaN射频器件设计领域,海外主要玩家有:Wolfspeed、住友电工、东芝、...
然而,在 GaN 器件上集成多晶金刚石的重大挑战之一是既保持器件本身性能,同时又实现低金刚石/GaN 通道边界热阻。 斯坦福大学电气工程系Srabanti Chowdhury研究组以“Record-Low Thermal Boundary Resistance between Diamond and GaN-on-SiC for Enabling Radiofrequency Device Cooling”为题在《ACS Appl. Mater. Interfac...
四款新型 GaN-on-SiC MMIC 器件,助力设计人员改进射频系统尺寸、重量和功率 2021年4月14日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 ––全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,Cree | Wolfspeed于近日推出四款新型多极碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)单片微波集成电路(MMIC)器件,进一步扩展射频(RF)解决方案...
3.8.1 全球第一梯队GaN on SiC射频器件厂商列表及市场份额(按2023年收入) 3.8.2 全球第二、三梯队GaN on SiC射频器件厂商列表及市场份额(按2023年收入) 4 规模细分,按产品类型 4.1 按产品类型,细分概览 4.1.1 按产品类型分类 - 全球GaN on SiC射频器件各细分市场规模2023 & 2030 ...
由于器件自热限制了 GaN 的性能,因此使用金刚石作为GaN 器件冷却的散热器已经获得了显着青睐。然而,在 GaN 器件上集成多晶金刚石的重大挑战之一是既保持器件本身性能,同时又实现低金刚石/GaN 通道边界热阻。 斯坦福大学电气工程系Srabanti Chowdhury研究组以“Record-Low Thermal Boundary Resistance between Diamond ...
不过与此同时,GaN国际企业上下游互相渗透的趋势也在一些传统IDM大厂中体现出来,比如Wolfspeed收购英飞凌的射频功率业务,利用其SiC衬底优势,加强其射频GaN-on-SiC技术的优势地位;NXP旗下6英寸射频GaN晶圆厂在2020年投产;ST收购GaN外延、器件厂商Exagan等等。 在制程工艺上,GaN HEMT射频器件的制程目前主流在0.5µm-0....