SiC和GaN在功率谱中的作用截然不同,但是,能否设计出更高电压的GaN器件来提升功率谱并与SiC抗衡呢?在GaN制造中占主导地位的GaN假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)的击穿电压(约0.6至1.5MV/cm)一般在650V左右封顶,这是因为其临界击穿场存在固有限制[1-2]。为了改善...
从图中我们可以看出,半导体Si的禁带宽度为1.12电子伏特,而宽禁带半导体SiC禁带宽度为3.23电子伏特,宽禁带半导体GaN的禁带宽度和SiC差不多为3.42电子伏特。正是因为SiC和GaN具有更宽的禁带宽度,从而使其拥有更高的击穿电场强度,从上表中可以看出,SiC和GaN的临界电场强度大约是Si的10倍左右,因此宽禁带半导体器件的工作电...
随着微波射频、高效功率电子和光电子等新需求的快速发展，宽禁带半导体材料对推动半导体产业发展的重要性日益凸显。尤其是伴随人工智能、新能源汽车、物联网等新兴领域的进一步发展，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体需求逐渐攀升，宽禁带半导体在技术推进、产品创新、行业布局上都迎来了新的变化。在半导...
从图中我们可以看出,半导体Si的禁带宽度为1.12电子伏特,而宽禁带半导体SiC禁带宽度为3.23电子伏特,宽禁带半导体GaN的禁带宽度和SiC差不多为3.42电子伏特。正是因为SiC和GaN具有更宽的禁带宽度,从而使其拥有更高的击穿电场强度,从上表中可以...
第三代半导体包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等。它们的禁带宽度在 2.3eV 以上,其中又以 SiC 碳化硅和 GaN 氮化镓为代表。与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质,翻译下来就是:高频、高效、高功率、...
近年来，迅速发展起来的以GaN、SiC 为代表的宽禁带半导体材料是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景，可望成为支撑信息、能源、交通、国防等产业发展的重点新材料，进行宽禁带半导体材料的相关技术研发正在...
第三代半导体包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等。它们的禁带宽度在 2.3eV 以上,其中又以 SiC 碳化硅和 GaN 氮化镓为代表。与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质,翻译下来就是:高频、高效、高功率、...
第三代半导体(本文以 SiC 和 GaN 为主)又称宽禁带半导体,禁带宽度在 2.2eV 以上,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点,逐步受到重视。SiC 与 GaN 相比较,前者相对 GaN 发展更早一些,技术成熟度也更高一些;两者有一个很大的区别是热导率,这使得在高功率应用中,SiC 占据统...
宽禁带材料「双子星」——不得不说的 SiC 目前来看,SiC 和 GaN 的技术研究进展较快,并且已经开始有了广泛应用。SiC 与 GaN 相比较,前者相对 GaN 发展更早一些,技术成熟度也更高一些。SiC 禁带宽度为 3.23ev,GaN 禁带宽度为 3.4ev。 SiC 器件相对于 Si 器件的优势主要来自三个方面: ...
此外，碳化硅目前主要用于功率器件，由于其栅极电压较高，目前也不会应用在集成电路方面。当然，科技更新迭代的速度飞快，这并不会是局限的理由。最后我们顺带讲下氮化镓GaN。前两天在群里有伙伴，提到GaN目前已经应用在部分工业领域上。但事实上，相比碳化硅SiC，氮化镓GaN的应用范围是很少的，并且，它的应用大多数在超...