用于最新脉冲雷达系统设计的 GaN-on-SiC 射频功率晶体管。 Integra 的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC、GaN/SiC)HEMT 射频功率晶体管器件是射频功率晶体管技术中的最新产品。它们提供从 UHF 到 C 波段微波频率的高增益和高功率水平,并且它们的碳化硅 (SiC) 基板提供出色的热量提取,以实现长期可靠性和最佳功率密度。这...
Qorvo 的 TGF2929-HM 是一款 100 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT,工作频率范围为直流至 3.5 GHz。它提供 17.4 dB 的线性增益并需要 28 V DC 电源。该器件是基于 Qorvo 验证的 QGaN25HV 工艺开发的,该工艺采用先进的场板技术,可在高漏极偏置工作条件下优化功率和效率。这种优化通过更少的放大器阵容和...
贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT 赋能4G和5G通信应用 2021年8月23日 - 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子(Mouser Electronics ) 即日起开始备货Qorvo 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。此碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 晶体管性能优异,可为5G大规模MIMO、LTE和WCDMA系统中的蜂窝 基站和...
GaN on SiC HEMT技术 不对称的多尔蒂设计 —主:P3dB = 20w —峰值:P3dB = 36w 典型脉冲连续波性能,3600mhz, 48v, 10 μs 带宽,占空比10% (Doherty配置) -输出功率为P3dB = 50w -排水效率= 62% @ 50w 人体模型1A类(根据ANSI/ESDA/JEDECJS-001) 无铅,符合RoHS要求 低的热阻 应用 蜂窝功率放大器 相...
SweGaN 公司与查尔默斯理工大学(Chalmers University of Technology)联合研究高频 HEMT,有望为电信、航天和军事市场带来商业利益。 SweGaN AB 是一家定制 GaN-on-SiC 外延片制造商,拥有制造射频和功率器件需要的独特外延生长技术,它宣布了基于 SweGaN QuanFINE 材料的 GaN 高频器件的新基准。该公司的量子精细(Quan...
图2所示的基本氮化镓晶体管的结构是一种耗尽模式(depletion-mode)的高电子移动率晶体管(HEMT)，这意味...
GTRA360502M-V1是一款采用GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)技术的非对称多赫蒂功率放大器,专为通信基础设施应用设计。其工作频率范围从3400兆赫至3800兆赫,并能在高达50伏的电压下工作,提供最大8瓦的平均输出功率。 技术特性 该设备利用了GaN on SiC HEMT技术,并采用了不对称的多尔蒂设计,主功率为20w,峰值功...
产品种类 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS 是 晶体管类型 HEMT 增益 15 dB 晶体管极性 N-Channel Id-连续漏极电流 80 mA 输出功率 7.2 W 最小工作温度 - 40 C 最大工作温度 + 85 C Pd-功率耗散 8.9 W 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 DIE 应用 Defense and Aerospace, Bro...
4寸碳化硅基HEMT射频氮化镓外延片厂家GaN-on-SiC ¥ 0.00 导电N型碳化硅晶锭供应商 激光切割验证测试 ¥ 0.00 4英寸6英寸碳化硅晶锭厂家 导电N型 ¥ 0.00 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 型号: 4英寸 封装: / 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发...
专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Qorvo® QPD0011高电子迁移率晶体管 (HEMT)。此碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 晶体管性能优异,可为5G大规模MIMO、LTE和WCDMA系统中的蜂窝基站和射频应用提供支持。