与HEMT结构相比，PSJ结构的GaN FET的开关频率较低，但仍可支持数MHz的工作，耐压水平不仅超过SiC器件，开关频率也远高于SiC MOSFET（上限数为数百kHz）、Si IGBT（数十kHz）。如果使用比GaN自支撑晶圆更经济、绝缘性更出色的蓝宝石晶圆（GaN on Sapphire）的话，横向型器件的上市时间有望早于垂直型GaN。当然，如...
从衬底的角度来分，一般常用的有GaN on Sapphire（蓝宝石衬底），GaN on Si，和GaN on SiC。其中GaN on Sapphire算是最为成熟，也最为常见，主要用在LED领域。而GaN on Si和GaN on SiC主要应用领域是电力电子和微波射频。我们先从GaN材料和器件本身来开启本次的研究之旅——一、GaN材料和器件 同SiC一样，...
目前，GaN材料主要有两种衬底技术，分别是GaN-on-Si（硅基氮化镓）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）。另外，还有GaN-on-sapphire和GaN-on-GaN，不过这两种衬底的应用市场很有限。GaN-on-SiC射频器件可应用于5G宏基站、卫星通信、微波雷达、航空航天等军事/民用领域；GaN-on-Si可制成功率器件，可在大功率快充充电...
GaN based high-electron-mobility-transistors (HEMTs) have shown superior power-frequency performance to their lower band-gap counterparts. Such devices grown on sapphire substrates generated a power density of 3.3 W/mm at 18 GHz without thermalmanagement, which is by a factor of 3 higher than ...
目前,GaN-on-SiC外延片主要应用于5G基站、国防领域射频前端的功率放大器(PA)。2.GaN-on-Si HEMT外延由于使用Si衬底材料,可在大直径硅晶圆上外延GaN且具有与传统Si工艺兼容等优势,成为功率半导体技术发展的理想选择。GaN on Si HEMT外延有常开型即耗尽型(D型)和常关型即增强型(E型)两种。 3.GaN-on-Sapphire...
平面型GaN器件通常基于非本征衬底，如Si、SiC、蓝宝石（Sapphire）等。早期高质量单晶GaN衬底难以实现，成本比较高，只能通过非本征衬底上生长异质外延GaN，由于衬底外延界面早期难以实现导通，因此硅基GaN和蓝宝石基GaN器件逐渐成为了主流。不同衬底材料特性比较 (来源：《高压低功耗新型氮化镓功率器件机理及结构研究》)硅...
Transphorm Inc 是 HEMTGaN技术的领先开发商,他们最近获得了一份价值 140 万美元的新DARPA研究合同,用于研究基于蓝宝石衬底的氮极性(N 极性)HEMT GaN 器件。 据介绍,新项目建立在 Transphorm 的历史以及与海军研究办公室 (ONR) 的持续合作基础上,为 RF GaN 外延片建立国内资源和供应,重点是 N 极 GaN,该技术已...
GaN－on－sapphire：主要应用在 LED 市场，主流尺寸为 4 英寸，蓝宝石衬底 GaNLED 芯片市场占有率达到 90％以上。 GaN－on－GaN：采用同质衬底的 GaN 主要应用市场是蓝／绿光激光器，应用于激光显示、激光存储、激光照明等领域。 GaN 外延片相关企业主要有比利时的 EpiGaN、英国的 IQE、日本的 NTT－AT。中国厂商...
首个1700V GaN HEMT器件发布 近日,广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关,通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片,基于广州第三代半导体创新中心中试平台,成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs器件。
GaN-on-Sapphire 蓝宝石衬底主要应用在LED市场,主流尺寸为6英寸,蓝宝石衬底GaN-LED芯片市场占有率达到90%以上。 部分厂商也在推出蓝宝石基的GaN功率器件,比如Power Integrations推出的PowiGaN技术是业界首款GaN-on-Sapphire功率IC,其功率GaN HEMT是在蓝宝石衬底上制造的,并在智能手机快充应用上批量出货。国内苏州晶湛半...