单斜晶系β相Ga2O3的晶体模型（空间群#12, C2/m）沿[-201]生长方向与HR-TEM图像中的晶格排列很好地匹配。对于κ相Ga2O3，正交晶系的晶体模型（空间群#33, Pna21沿[010]区轴也与HR-TEM图案一致。界面清晰且通过原子模型准确映射，展现了从κ相平滑过渡到β相的β/κ Ga2O3异质结.XPS测试 （图4）揭示了...
图3(c)提供了β相与κ相Ga2O3界面的放大图,并叠加了原子模型。单斜晶系β相Ga2O3的晶体模型(空间群#12, C2/m)沿[-201]生长方向与HR-TEM图像中的晶格排列很好地匹配。对于κ相Ga2O3,正交晶系的晶体模型(空间群#33, Pna21沿[010]区轴也与HR-TEM图案一致。界面清晰且通过原子模型准确映射,展现了从κ相...
β-Ga2O3兼具透明导电和晶格失配率低等性能,有望成为GaN的下一代的衬底材料,日本公司已实现了在β-Ga2O3衬底上生长GaN基蓝光LED芯片。还有研究者在β-Ga2O3单晶的(-201)面上淀积蓝光InGaN多量子阱(MQWs),并制成相应尺寸的芯片。 氧化镓单晶生长方法 采用熔体法制备大尺寸高质量的β-Ga2O3单晶较困难,目前国外...
Roqan1 We demonstrate the high structural and optical properties of InxGa1−xN epilayers (0 ≤ x ≤ 23) grown on conductive and transparent (201)-oriented β-Ga2O3 substrates using a low-temperature GaN buffer layer rather than AlN buffer layer, which enhances the quality and...
摘要 本文使用导模法(EFG)制备了4英寸氧化镓(β-Ga2O3)单晶,并对晶体物相、结晶质量、缺陷、光学及电学 特性进行了研究。晶体不同方向劳厄(Laue)衍射斑点清晰一致,符合β-Ga2O3衍射特征。晶体(400)面摇摆曲线半峰 全宽(FWHM)为57.57″,通过化学腐蚀获得其腐蚀坑位错密度为1.06×104 cm-2。晶体在紫外截止边为...
单晶基板的(-201)面往[010]方向的倾斜角与外延膜的生长率的关系的图(实施例2)。 图8A是示出在Ga 2 O 3 单晶基板上进行外延生长后的X射线衍射测定结果的图(实施例3)。 图8B是将图8A的(002)面附近放大示出的图(实施例3)。 图9是示出在Ga 2 O 3 单晶基板的以[010]轴为旋转轴旋转后的面上生长的外延...
& Kasu, M. High-mobility β-Ga2O3 (201) single crystals grown by edge-defined film-fed growth method and their Schottky barrier diodes with Ni contact. Appl. Phys. Express 8, 031101 (2015). Article ADS CAS Google Scholar Sanchela, A. V. et al. Large thickness dependence of the ...
透射电子显微(TEM)微观分析表明,多边形丘状缺陷由孪晶组成,呈倒金字塔形嵌入外延层中,并沿[100]晶向具有二重旋转对称性。缺陷晶格与完美晶格之间的边界呈带状,伴随复杂的位错结构,其孪晶区与基体的结构关系被确定为[001]Matrix||[010]Defect和{−310}Matrix||{−201}Defect。
Ga2O3-?参数:textured along (201); 膜厚~ 400 nmAl2O3 薄膜参数:<0001> 10x10x0.5mm 单抛 产品尺寸: 10x10x0.5mm 标准包装: 1000级超净室100级超净袋真空包装 西安齐岳生物提供各种进口或者国产的薄膜,尺寸可定制;各种基底以及外延的薄膜;品质高;有关技术资料欢迎咨询。同时提供各种二维材料;石墨烯、氮化...
南京大学电子科学与工程学院,江苏南京 210093) 摘要: 本文制备并研究了肖特基型 βGa2O3 日盲紫外光电探测器.结果表明:通过脉冲激光沉积外延生长的β Ga2O3的( 201)晶面 X射线衍射峰半高宽仅为 36arcsec,表现出了高的晶体质量;光暗条件下的 I V曲线显示所制备的器件具有明显的肖特基整流特性,在-5V偏压下暗...