电化学阻抗图表明,相对于原始的g-C3N4,氰胺缺陷的g-C3N4的电荷转移显著增强。最后,最佳氰胺缺陷的g-C3N4其光催化制氢活性是 4.0 mmol g−1h−1,是原始的g-C3N4性能的五倍。这表明了其性能的显著提高。当然,最佳氰胺缺陷的g-C3N4...
在锂离子氧电池的光辅助充电测试中,还观察到g-C3N4/石墨烯纳米复合材料的光催化剂性能,并且结构中2D石墨烯的存在提高了g-C3N4在降低充电电势方面的有效性,特别是在高电流密度下。 图1.纯g-C3N4、1 cm2石墨烯/mg g-C3N4、2 cm2...
此外,瞬态荧光光谱表明,相对于原始的g-C3N4,氰胺缺陷的g-C3N4荧光寿命的显著缩短,这归因于在氰胺缺陷出现的带尾的快速辐射电子空穴复合过程。电子顺磁共振谱表明,相对于原始的g-C3N4,氰胺缺陷的g-C3N4具备更长的共轭体系。这也说明氰基的引入增强了g-C3N4的共轭程度。电化学阻抗图表明,相对于原始的g-C3N4,氰胺缺陷...
说明g-C3N4的加入能提高复合膜的吸水能力，30 ℃时，三种复合膜的吸水率相近，但0.25% g-C3N4/Nafion复合膜在80 ℃时的吸水率明显高于其他膜，而膜的电导率与膜中所含水量有极大关系，这可能是0.25% g-C3N4/Nafion复合膜
在傅里叶变换红外(FTIR)光谱中,纯g-C3N4和Bi2WO6 的吸收带在复合样品中均有呈现,表明g-C3N4/Bi2WO6 异质结的成功构建;通过紫外-可见光漫反射光谱(UV-vis DRS)发现:与纯净的g-C3N4相比复合材料g-C3N4/Bi2WO6的吸收边缘发生蓝移,与纯Bi2WO6相比复合材料g-C3N4/Bi2WO6的吸收边缘发生红移;瞬态光电流响应...
【要点2】 所构建的同质结催化剂由g-C3N4纳米点和超薄g-C3N4纳米片组成,展现出了显著的S型载流子分离机制,有效提高了电子和空穴的利用率; 【要点3】 在AM 1.5光照下,该g-C3N4同质结光催化剂实现了高达580 μmol h-1的产氢速率,并且在CO2还原中CH4生成的选择性为96.86%。
图1(a) :复合材料的制备流程图;(b) MIL-101(Fe);(c) g-C3N4;(d-e) MIL-101(Fe)/g-C3N4的SEM图像;(f)XRD谱图和(g)FTIR谱图 图2可以看出相比于单一的g-C3N4而言,不管是物理混合的复合材料还是原为制备的异质结结构,其比表面积都大于单一的g-C3N4。
图1(a) :复合材料的制备流程图;(b) MIL-101(Fe);(c) g-C3N4;(d-e) MIL-101(Fe)/g-C3N4的SEM图像;(f)XRD谱图和(g)FTIR谱图 图2可以看出相比于单一的g-C3N4而言,不管是物理混合的复合材料还是原为制备的异质结结构,其比表面积都大于单一的g-C3N4。
要点:通过室温搅拌法原位制备了能带结构匹配的ZIF-L/g-C3N4异质结(简称ZCx)。电镜结果显示叶片状的ZIF-L可有效分散、锚定g-C3N4纳米片。ZCx样品的FTIR图谱可检测到归属于单独ZIF-L与g-C3N4的特征峰。XPS N 1s高清能谱显示形成异质结构后能量有明显偏移,说明ZIF-L和g-C3N4二者界面处存在明显的电子转移过程,进一...
如图1所示,为本发明实施制备的g-C3N4的XRD图片,表明制备的g-C3N4具有石墨相晶型。 如图2中a线所示,为本发明实施制备的g-C3N4的紫外-可见吸收光谱,表明制备的g-C3N4可以吸收可见光,并在600～800nm范围内有一定的吸收能力。 如图3中a线所示,为本发明实施制备的g-C3N4的FTIR图谱,表明制备的g-C3N4具有层状结构。