1.2 Nafion/g-C3N4复合膜的表征及性能测试 傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征：利用红外光谱仪表征g-C3N4及膜的官能团结构，透射模式测试，波数4 000～400 cm－1，分辨率4 cm－1。对g-C3N4及膜进行X射线衍射(XRD)分析，光源为CuKα，加速电压为40 kV，束流为200 mA，扫描速率为5 (°)/min，分辨率为0.02°...
g-C3N4的两个典型的衍射峰在12.9°和27.2°的位置,分别对应与氢键相关的层内(100)和层间堆叠的(002),同时,随着氯化钾的用量增加,其峰强度逐渐减弱;表明了平面内氢键效应减少,扰乱了层间的堆叠。FTIR表明相对于原始的g-C3N4,随着氯化...
在这项工作中,旨在合成一种有效的纳米复合光催化剂,用于锂离子氧电池的光辅助充电。最初,石墨烯薄膜是通过化学气相沉积合成的,随后,g-C3N4/石墨烯纳米复合材料作为光催化剂通过热还原合成。FTIR光谱分析表明═在合成过程中,g-C3N4和石墨...
在傅里叶变换红外(FTIR)光谱中,纯g-C3N4和Bi2WO6 的吸收带在复合样品中均有呈现,表明g-C3N4/Bi2WO6 异质结的成功构建;通过紫外-可见光漫反射光谱(UV-vis DRS)发现:与纯净的g-C3N4相比复合材料g-C3N4/Bi2WO6的吸收边缘发生蓝移,与纯Bi2WO6相比复合材料g-C3N4/Bi2WO6的吸收边缘发生红移;瞬态光电流响应...
FTIR表明相对于原始的g-C3N4,随着氯化钾用量的增加,在2170 cm-1出现了一个氰基峰,而且其强度逐渐增加。同时,拉曼光谱也证实了这一点。为了进一步揭示氰基在g-C3N4中具体化学位置,研究人员采用固体核磁(13C),两种类型氰胺缺陷被确定。从而可以推测出氰胺缺陷的g-C3N4合成路线。
本文选用Fe(Ⅲ)对g-C3N4进行掺杂改性, SEM-EDS表明, C和N元素均匀分布在g-C3N4整个骨架上,而Fe元素主要分布在g-C3N4边缘部分;FTIR结果发现,掺杂Fe后, N-Hx伸缩振动峰强度随着掺杂量的增加而降低,证明Fe(Ⅲ)与g-C3N4表面胺基之间形成配位键,即Fe(Ⅲ)掺杂为螯合掺杂.Fe(Ⅲ)螯合掺杂后的g-C3N4光催化氧化Rh...
图2.(ab)FTIR图谱,(c)拉曼光谱,(d)XRD图谱 图3. UCN、TCN、MCN和UTMCN的(a)XPS全谱,(b)C 1s高分辨谱,(c)N 1s高分辨谱,(d)EPR,(e)NMR谱图,(f)UTMCN可能的分子结构 图4 UTMCN可能的形成过程示意图 要点二:高效光催化制氢性能 为了揭示g-C3N4分子间同质结的应用前景,在可见光下评价了其光解水...
XRD图谱证实超临界CO2可以破坏g-C3N4框架中的周期性原子结构,形成非晶结构。FTIR图谱证实在超临界CO2的辅助下,-B(OH)x基团被成功引入到g-C3N4框架。 图3. B-C3N4-16 MPa样品的化学态和配位环境 图3a-d中XPS图谱表明硼酸官能团的引入和缺陷N的形成,且调控超临界CO2体系中的压强能改变硼酸官能团的引入量和N缺陷...
图1(a) :复合材料的制备流程图;(b) MIL-101(Fe);(c) g-C3N4;(d-e) MIL-101(Fe)/g-C3N4的SEM图像;(f)XRD谱图和(g)FTIR谱图 图2可以看出相比于单一的g-C3N4而言,不管是物理混合的复合材料还是原为制备的异质结结构,其比表面积都大于单一的g-C3N4。
以三聚氰胺和硝酸铁为原料制备 Fe 掺杂 g-C3N4,以罗丹明 B(RhB)为目标降解物,同时, 用透射电子显微镜(TEM), 扫描电子显微镜(SEM), X 射线衍射( XRD), 傅里叶红外光谱(FTIR), 紫外可见漫反射光谱(UV-Vis)对材料进行表征,对其催化性能与结构及光学特性之间的关系 进行研究。 采用紫外可见吸收光谱法, 测定...