最后样品在管式炉中进行高温碳化,便可实现异质结CdS/g-C3N4在废弃吸附材料结构中的原位构筑,成功制备CdS/g-C3N4@TWA。在CdS/g-C3N4@TWA中除了观察到木材的多孔结构之外,也可观察到了堆叠交织的褶皱状的g-C3N4片层结构覆盖在木材结...
电化学阻抗图表明,相对于原始的g-C3N4,氰胺缺陷的g-C3N4的电荷转移显著增强。最后,最佳氰胺缺陷的g-C3N4其光催化制氢活性是 4.0 mmol g−1h−1,是原始的g-C3N4性能的五倍。这表明了其性能的显著提高。当然,最佳氰胺缺陷的g-C3N4...
此外,瞬态荧光光谱表明,相对于原始的g-C3N4,氰胺缺陷的g-C3N4荧光寿命的显著缩短,这归因于在氰胺缺陷出现的带尾的快速辐射电子空穴复合过程。电子顺磁共振谱表明,相对于原始的g-C3N4,氰胺缺陷的g-C3N4具备更长的共轭体系。这也说明氰基的引入增强了g-C3N4的共轭程度。电化学阻抗图表明,相对于原始的g-C3N4,氰胺缺陷...
在傅里叶变换红外(FTIR)光谱中,纯g-C3N4和Bi2WO6 的吸收带在复合样品中均有呈现,表明g-C3N4/Bi2WO6 异质结的成功构建;通过紫外-可见光漫反射光谱(UV-vis DRS)发现:与纯净的g-C3N4相比复合材料g-C3N4/Bi2WO6的吸收边缘发生蓝移,与纯Bi2WO6相比复合材料g-C3N4/Bi2WO6的吸收边缘发生红移;瞬态光电流响应...
水接触角结果说明P-CeO2/g-C3N4相比于g-C3N4的亲水性强,通过FTIR进一步得到验证,P-CeO2/g-C3N4对应的羟基峰发生了宽化。1H和31PMAS NMR结果说明P物种以HPO42-形式存在。结合XPS和NMR结果,可以认为在P-CeO2/g-C3N4界面上,磷酸根和氨基之间存在氢键。
【要点2】 所构建的同质结催化剂由g-C3N4纳米点和超薄g-C3N4纳米片组成,展现出了显著的S型载流子分离机制,有效提高了电子和空穴的利用率; 【要点3】 在AM 1.5光照下,该g-C3N4同质结光催化剂实现了高达580 μmol h-1的产氢速率,并且在CO2还原中CH4生成的选择性为96.86%。
在N 2 气氛下通过草酸铵热处理制备了高分散多孔氮化碳纳米片(CN-A)(图1a)。XRD和FTIR的峰位置几乎没有变化但峰强度显著增大,表明热处理没有改变氮化碳(PCN)的基本化学组成和结构,但提高了材料的结晶度并暴露出更多活性位点(图1e&1f)。 图2. CN-A的光电性能表征 ...
1.2 Nafion/g-C3N4复合膜的表征及性能测试 傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征：利用红外光谱仪表征g-C3N4及膜的官能团结构，透射模式测试，波数4 000～400 cm－1，分辨率4 cm－1。对g-C3N4及膜进行X射线衍射(XRD)分析，光源为CuKα，加速电压为40 kV，束流为200 mA，扫描速率为5 (°)/min，分辨率为0.02°...
图1(a) :复合材料的制备流程图;(b) MIL-101(Fe);(c) g-C3N4;(d-e) MIL-101(Fe)/g-C3N4的SEM图像;(f)XRD谱图和(g)FTIR谱图 图2可以看出相比于单一的g-C3N4而言,不管是物理混合的复合材料还是原为制备的异质结结构,其比表面积都大于单一的g-C3N4。
1.单原子Ni修饰的g-C3N4性能可与Pt/g-C3N4纳米片相媲美; 2.六氧配位的单Ni(II)位点通过B-O桥捕获CN的光生电子并优先活化吸附水产生H原子,最终诱导氢辅助的CO2还原过程。 【图文导读】 示意图1.硼酸改性氮化碳纳米片负载单原子Ni(II)位点的合成过程。