esd latch-up原理esd latch-up原理 ESD(静电放电)引起Latch-up的原理是:当ESD静电加压,可能会从保护电路中引入少量带电载流子到阱或衬底中,会触发可控硅(SCR)电路,引起VDD和GND之间产生大电流,导致Latch-up。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销 ...
还有个概念就是二次击穿电流，就是进入Latch-up之后I^2*R热量骤增导致硅融化了，而这个就是要限流，可以通过控制W/L，或者增加一个限流高阻， 最简单最常用的方法是拉大Drain的距离/拉大SAB的距离(ESD rule的普遍做法)。
还有个概念就是二次击穿电流,就是进入Latch-up之后I^2*R热量骤增导致硅融化了,而这个就是要限流,可以通过控制W/L,或者增加一个限流高阻, 最简单最常用的方法是拉大Drain的距离/拉大SAB的距离(ESD rule的普遍做法)。 发布于 2024-05-14 16:49・IP 属地广东...
还有个概念就是二次击穿电 流,就是进入Latch-up之后I^2*R热量骤增导致硅融化了,而这个就是要限流,可以通过控制 W/L,或者增加一个限流高阻, 最简单最常用的方法是拉大Drain的距离/拉大SAB的距离(ESD rule的普遍做法)。 3、栅极耦合(Gate-Couple) ESD技术 我们刚刚讲过,Multi-finger的ESD设计的瓶颈是开启的...
ESD/Latch up测试-静电测试 ESD测试(HBM/MM): 随着IC制作工艺的不断演进,芯片的制程尺寸逐渐缩小,现在最新技术已到纳米阶段,但由此而来的IC对静电放电(ESD)的敏感度也随之提升许多。为了减少组件因ESD损伤而造成客户退货及其它损失,组件的ESD防护能力也就成了提升可靠度的重要指标。
以NMOS为例,原理都是Gate关闭状态,Source/Bulk的PN结本来是短接0偏的,当I/O端有大电压时,则Drain/Bulk PN结雪崩击穿,瞬间bulk有大电流与衬底电阻形成压差导致Bulk/Source的PN正偏,所以这个MOS的寄生横向NPN管进入放大区(发射结正偏,集电结反偏),所以呈现特性,起到保护作用。PMOS同理推导。
而Hold电压就是要维持持续ON,但是又不能进入栅锁(Latch-up)状态,否则就进入二次击穿(热击穿)而损坏了。还有个概念就是二次击穿电流,就是进入Latch-up之后I^2*R热量骤增导致硅融化了,而这个就是要限流,可以通过控制W/L,或者增加一个限流高阻, 最简单最常用的方法是拉大Dra...
而Hold电压就是要维持持续ON,但是又不能进入栅锁(Latch-up)状态,否则就进入二次击穿(热击穿)而损坏了。还有个概念就是二次击穿电流,就是进入Latch-up之后I^2*R热量骤增导致硅融化了,而这个就是要限流,可以通过控制W/L,或者增加一个限流高阻, 最简单最常用的方法是拉大Drain的距离/拉大SAB的距离(ESD rule...
还有个概念就是二次击穿电流,就是进入Latch-up之后I^2*R热量骤增导致硅融化了,而这个就是要限流,可以通过控制W/L,或者增加一个限流高阻, 最简单最常用的方法是拉大Drain的距离/拉大SAB的距离(ESD rule的普遍做法)。 3、栅极耦合(Gate-Couple) ESD技术...
而Hold电压就是要维持Snap-back持续ON,但是又不能进入栅锁(Latch-up)状态,否则就进入二次击穿(热击穿)而损坏了。还有个概念就是二次击穿电流,就是进入Latch-up之后I^2*R热量骤增导致硅融化了,而这个就是要限流,可以通过控制W/L,或者增加一个限流高阻,最简单最常用的方法是拉大Drain的距离/拉大SAB的距离(...