esd latch-up原理esd latch-up原理 ESD(静电放电)引起Latch-up的原理是:当ESD静电加压,可能会从保护电路中引入少量带电载流子到阱或衬底中,会触发可控硅(SCR)电路,引起VDD和GND之间产生大电流,导致Latch-up。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销 ...
这次的课题主要分享静电保护的市场需求,技术挑战及如何设计高抗性的芯片级ESD/Latch-up防护。前半段以深入浅出的方式讲解ESD防护设计概念,后半段解密如何使用代工厂提供的免费ESD器件保护您的芯片,并且延伸至全芯片ESD/Latch-up防护。 此课程兼顾理论及配合实例,带领各位一步步了解如何设计高可靠性的ESD/Latch-up防护。
Latch-Up现象是指在集成电路中，当电源引脚与接地引脚之间存在PNP和NPN双极性晶体管时，可能会形成一个低阻抗通路。这种现象会导致电源引脚与接地引脚之间的电流急剧增加。如果电流过大，可能会导致芯片的永久性损坏。静电放电效应（ESD）是电子设备在制造和使用过程中最常遇到的一种破坏性因素。这种现象通常...
4、还有一种复杂的ESD保护电路: 可控硅晶闸管(SCR: Silicon Controlled Rectifier ) 它就是我们之前讲过的CMOS寄生的PNPN结构触发产生并且Latch-up,通过ON/OFF实现对电路的保护,大家可以回顾一下,只要把上一篇里面那些抑制LATCH-up的factor想法让其发生就可以了,不过只能适用于Layout,不能适用于Process,否则Latch-up又...
Latchup •Latchup的定义 •Latchup的原理分析 •产生Latchup的具体原因 •防止Latchup的方法 Latchup的定义 Latchup最易产生在易受外部干扰的I/O电路处,也偶尔 发生在内部电路 Latchup是指cmos晶片中,在电源powerVDD和地线 GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互 ...
ESD Latch Up测试流程 1.1 ESD Latch Up测试概要 ESD Latch Up 主要用于测试芯片的ESD Latch Up的水平,需要项目SE、后端设计工程师、封装工程师、可以靠性测试工程师共同参与,主要工作包括:ESD Latch Up测试方案确定、ESD Latch Up 测试流程执行、测试结果分析及出现失效后的问题定位和解决方案的确定。 1.2 ESD ...
1、ESD模型及有关测试1、ESD模型分类2、HBM和MM测试方法标准3、 CDM模型和测试方法标准4、拴锁测试5、 I-V测试6、标准介绍1、ESD模型分类因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同,经过统计,ESD放电模型分下列四类:(1) 人体放电模式 (Human-Body Model, HBM)(2) 机器放电模式 (Machine Model, MM)(3...
LATCHUP也是经常听到的术语,也和芯片损伤有关。LATCH-UP 是特指芯片内部P型/N型/P型/N型半导体组合成的这个结构发生产生大电流的正反馈导通现象。ESD和其他类型的EOS都有可能造成LATCH-UP,但也未必都是因为LATCH-UP而造成损坏。LATCH-UP也有自己的测试标准。简单的原理是对芯片注入某个量级的触发电流,验证芯片会...
Latch ESD/Latch- -Up Up .istgroup .istgroup 器件充電模型之發生器件充電模型之發生 ESD/Latch ESD/Latch- -Up Up 1.器件因感應或磨擦而帶電荷 2.器件上之電荷藉由管腳對外放電 1.上升時間極短 <400pS 2.電流峰值極大 5~20A/500V 3.維持時間極短 0.5~1.0nS 4.一般保護線路來不及動作 .ist...