电子束负胶,高分辨率(30nm),对比度高(> 5),良好的耐等离子刻蚀性能,可以用于混合曝光。灵敏度中等,介于AR-N 7700和PMMA之间。 AR-N 7700 电子束负胶,化学放大胶,高灵敏度,高对比度,良好的耐等离子刻蚀刻蚀性能,可以用于混合曝光。 AR-N 7720 电子束负胶,用于三维曝光工艺。 化学放大胶,高灵敏度,对比度...
产品摘要:德国Allresist电子束光刻胶(电子束抗蚀剂)E-beamresist电子束正胶:PMMA胶,PMMA/MA聚合物,LIGA用胶等。电子束负胶:高分辨率电子束负胶,化学放大胶(高灵敏度电子束胶)等。 支付方式: 支付宝微信银行转账 产品完善度:访问次数:376 产品分类
电子束光刻胶 (e-beam resist) 类型 型号 特性 正胶 SX AR-P 6200 NEW! 超高分辨率电子束正胶,通过简单的工艺即可得到10nm甚至更小的结构。超高深宽比(20:1)、超高对比度(>15)。良好的耐干法刻蚀性能,是传统PMMA胶的2倍。 完全可以取代ZEP胶,经济实惠,并且采购简单,包装规格多样化。
光刻胶产品种类齐全,可以满足用户的各种个性化需求。 产地: 德国 光刻胶型号规格: SX AR-P系列 X AR-P系列 耗材品牌: ALLRESIST 特点: • 用于高分辨率电子束曝光、单层 / 多层 lift-off 工艺、 石墨烯 / 碳纳米管转移、绝缘保护层等 • 感光波段:e-beam、deep UV(248nm) ...
ZEP520A乃一具有「超高解析度」、「耐乾式蝕刻」特性的非化學增幅型(斷鏈型)負型電子束光阻。 電子束光阻產品表 品名黏度 (mPa・s)塗佈膜厚(nm) @2000rpm溶劑包裝方式 電子束光阻專用顯影液 品名特徵包裝方式 顯影液ZED-N50高感度加侖瓶 ZEP520A
HSQHydrogen silsesquioxane (HSQ) is an attractive electron-beam (e-beam) resist for sub-20nm lithography owing to its high resolution, excellent line-edge roughness (LER) and good plasma etch resistance. However, the sensitivity and long-term stability of HSQ need to be significantly improved ...
In order to determine the effects of chemical structure on electron beam resist sensitivities, a series of polymers with different reactive components and additives has been investigated. The results, based on a larger number of exposure... TL Brewer - 《Polymer Engineering & Science》 被引量: ...
电子束光刻胶 XR-1541-006 E-BEAM RESIST NEGATIVE TONE HSQ E-BEAM RESIST CBNumber: CB512401155 分子式: 分子量: 0 MOL File: Mol file 化学性质安全信息用途供应商1 电子束光刻胶 XR-1541-006 E-BEAM RESIST NEGATIVE TONE HSQ E-BEAM RESIST化学性质 ...
High-performance e-beam resist coupling excellent dry etch resistance and sub-100-nm resolution for advanced mask and device making [4343-28]. W -S ... Wu-Song Huang,RW Kwong,JG Hartley,... - International Society for Optics and Photonics 被引量: 18发表: 2000年 CA resist with high sen...
Simulation algorithm of dry e-beam etching of resist (DEBER) is provided, including simulation of most significant processes: e-beam-induced PMMA degradation above glass transition, PMMA chain depropagation with subsequent released monomer diffusion and structure profile melting due to low PMMA ...