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电子迁移率的英语翻译 电子迁移率法语翻译: mobilité électronique 分词翻译: 电子的法语翻译: 名 électron 电子管 tube électronique. électron 迁移的法语翻译: 动 changer de domicile;déménager;migrer 率的法语翻译: 名 proportion;taux;coefficient;pourcentage;rapport ...
电子迁移率 中文电子迁移率 英文【计】 electron mobility
2)影响GaN HEMT外延片中载流子迁移率的散射机制主要有:合金散射机制、电离杂质散射、界面粗糙度散射、声学声子散射及偏振光学声子散射。不同散射机制下AlGaN/(AIN)/GaN HEMT结构的电子迁移率随温度变化,具体见图5: 图5:GaN HEMT异质结中各散射机制及迁移率与温度关系 ...
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氮化铝(AlN)因其独特的材料特性,正成为毫米波集成电路(MMIC)领域的重要材料平台。AlN具备超宽和直接带隙(约6eV)、高导热性(~340W/mK)以及出色的压电性能,使其成为高性能高电子迁移率晶体管(HEMT)的理想选择。可供AlN衬底用于外延HEMT器件,具体规格请参考下表。更多产品详情请咨询:vp@honestgroup.cn。
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由于耗尽型晶体管的常开特性会增加电路设计的复杂性和功耗,因而设计一种在零栅极偏压下关断的增强型高电子迁移率晶体管结构外延片对于推进功率器件方面的应用至关重要。可供增强型(E-mode)氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)结构外延片,具体的外延结构请参见下表:...
可供耗尽型(D-mode)硅基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管 (HEMT) 外延片。氮化镓材料比硅和碳化硅具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场,所制备的功率器件具有更好的传导和开关性能。