【答】硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为μ_iμ_GμGaAs 根据公式 μ=qv/m 可知,迁移率与有效质量成反比,因为电子的有效质量小于空穴的有效质量,所以对于同一种样品,电子迁移率大于空穴迁移率。 结果一 题目 对分压式偏置电路而言,为什么只要满足 I_2I_B 和 V_BV_(...
硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为()。A.μ GaAs <μ Ge <μ SiB.μ Ge <μ Si <μ GaAsC.μ
迁移率是单位强度电场所引起的带电载流子飘移速度的大小。半导体中电子迁移率要比金属中的大很多,但其导电性能却不及金属的原因。相关知识点: 试题来源: 解析 答:半导体的迁移率比金属高,但内部会感应出反向电荷,出现电位移,形成逆向场,而金属导体内部场强处处相等,宏观上电流比半导体强,所以金属导电性更好。迁移率...
导体的电导率大小与下列哪些因素有关 A、电子的迁移率 B、自由电子的密度 C、外加电场的强度 D、环境温度 点击查看答案进入小程序搜题 你可能喜欢 烟草移栽前5~7天,可采用50%敌草胺2250~3000g/hm2,对水450kg/hm2,均匀喷于全田土壤表面,随后混入5厘米浅土层中,如果施药后久旱无雨,则需灌水,以促进杂草萌发...
比较下列几种玻璃的电导率的大小关系:纯石英玻璃、5.0%氧化钠玻璃、6.0%氧化钠玻璃、3.0%氧化钠和3.0%氧化钾玻璃、3.0%氧化钠和3.0%氧化钙玻璃、6.0%氧化钙玻璃电流吸收现象发生在离子电导为主的陶瓷材料中,电子性电导体没有电流吸收现象,因为电子迁移率很高,无法形成空间电荷。( ) ...
已知数据:电子迁移率μ=7.8m2/(Vs),电子密度n=2.5×1022个/m3,I=1.0A,B=0.1T,b=1.0cm,c=1.0mm,e=1.6×10-19C. 试题答案 分析(1)霍尔元件中移动的是自由电子,根据电子所受洛伦兹力与电场力平衡,再结合电场强度与电势差之间的关系式E=UdUd,联立即可求出b左右两表面上相对两点之间的电势差;(2)...
A、由于一般电子迁移率大于空穴迁移率,所以霍尔元件多采用N型半导体制作 B、霍尔元件制成厚度很薄的薄片,是为了降低输入阻抗 C、当霍尔元件的激励电流和磁感应强度方向同时变化后,霍尔电势的方向保持不变 D、影响霍尔元件的额定激励电流大小的主要因素是元件散热条件 点击查看答案进入小程序搜题 你可能喜欢 经济产量...
内光电效应又分为光电势效应和光电导率效应判断题1.铂电阻温度计与伯劳—伯热电偶温度计相比,后者测量温度高 正2.接触电势的大小和温度高低及电子迁移率有关 错
石墨烯还具有十分优良的电学性,导电性比银和铜还强,载流子迁移率比碳纳米管和硅还高。 基于石墨烯极其优异的物理特性,人们对它的应用寄予厚望。近十年的研究表明,石墨烯在基础研究、高频电子器件、柔性显示、电化学生物传感器、新能源电池,超级电容、航空航天等领域有着非凡的应用潜力,被誉为...