【答】硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为μ_iμ_GμGaAs 根据公式 μ=qv/m 可知,迁移率与有效质量成反比,因为电子的有效质量小于空穴的有效质量,所以对于同一种样品,电子迁移率大于空穴迁移率。 结果一 题目 对分压式偏置电路而言,为什么只要满足 I_2I_B 和 V_BV_(...
硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为()。A.μ GaAs <μ Ge <μ SiB.μ Ge <μ Si <μ GaAsC.μ
迁移率是单位强度电场所引起的带电载流子飘移速度的大小。半导体中电子迁移率要比金属中的大很多,但其导电性能却不及金属的原因。相关知识点: 试题来源: 解析 答:半导体的迁移率比金属高,但内部会感应出反向电荷,出现电位移,形成逆向场,而金属导体内部场强处处相等,宏观上电流比半导体强,所以金属导电性更好。迁移率...
如图一根边长为a、b、c(a≥b≥c)的矩形截面长棒,由半导体锑化铟制成.棒中有平行于a边的电流I通过.该棒放在平行于c的外磁场B中,电流I所产生的磁场忽略不计.该电流的载流子为电子,在只有电场存在时,电子在半导体中的平均速度v=μE,(E为沿电流方向的匀强电场场强),其中μ为迁移率....
解析 【答】硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为μ_iμ_GμGaAs 根据公式 μ=qv/m 可知,迁移率与有效质量成反比,因为电子的有效质量小于空穴的有效质量,所以对于同一种样品,电子迁移率大于空穴迁移率。 反馈 收藏 ...
迁移率是单位强度电场所引起的带电载流子飘移速度的大小。半导体中电子迁移率要比金属中的大很多,但其导电性能却不及金属的原因。相关知识点: 试题来源: 解析 答:半导体的迁移率比金属高,但内部会感应出反向电荷,出现电位移,形成逆向场,而金属导体内部场强处处相等,宏观上电流比半导体强,所以金属导电性更好。迁移率...
更多“硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为()”相关的问题 第1题掺杂浓度相同时,下列半导体器件极限工作温度大小关系正确的是()A.硅>锗>砷化镓 B.硅>砷化镓>锗 C.砷化镓>锗>硅 D.砷化镓>硅>锗点击查看答案 第2题 与第一代半导体材料硅锗相比,第二代半导体材料砷化镓...