【答】硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为μ_iμ_GμGaAs 根据公式 μ=qv/m 可知,迁移率与有效质量成反比,因为电子的有效质量小于空穴的有效质量,所以对于同一种样品,电子迁移率大于空穴迁移率。 结果一 题目 对分压式偏置电路而言,为什么只要满足 I_2I_B 和 V_BV_(...
硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为()。A.μ GaAs <μ Ge <μ SiB.μ Ge <μ Si <μ GaAsC.μ
石墨烯还具有十分优良的电学性,导电性比银和铜还强,载流子迁移率比碳纳米管和硅还高。 基于石墨烯极其优异的物理特性,人们对它的应用寄予厚望。近十年的研究表明,石墨烯在基础研究、高频电子器件、柔性显示、电化学生物传感器、新能源电池,超级电容、航空航天等领域有着非凡的应用潜力,被誉为...
解析 【答】硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为μ_iμ_GμGaAs 根据公式 μ=qv/m 可知,迁移率与有效质量成反比,因为电子的有效质量小于空穴的有效质量,所以对于同一种样品,电子迁移率大于空穴迁移率。 反馈 收藏 ...
更多“硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为()”相关的问题 第1题掺杂浓度相同时,下列半导体器件极限工作温度大小关系正确的是()A.硅>锗>砷化镓 B.硅>砷化镓>锗 C.砷化镓>锗>硅 D.砷化镓>硅>锗点击查看答案 第2题 与第一代半导体材料硅锗相比,第二代半导体材料砷化镓...