【答】硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为μ_iμ_GμGaAs 根据公式 μ=qv/m 可知,迁移率与有效质量成反比,因为电子的有效质量小于空穴的有效质量,所以对于同一种样品,电子迁移率大于空穴迁移率。 结果一 题目 对分压式偏置电路而言,为什么只要满足 I_2I_B 和 V_BV_(...
解析 【答】硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为μ_iμ_GμGaAs 根据公式 μ=qv/m 可知,迁移率与有效质量成反比,因为电子的有效质量小于空穴的有效质量,所以对于同一种样品,电子迁移率大于空穴迁移率。 反馈 收藏 ...