光均匀照射在6的n型Si样品上,电子-空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1,样品寿命为8µs。试计算光照前后样品的电导率。
复合率为负值表示此时产生大于复合,电子-空穴对的产生率另解:若非平衡态是载流子被耗尽,则恢复平衡态的驰豫过程将由载流子的复合变为热激发产生,产生率与少子寿命的乘积应等于热平衡状态下的少数载流子密度,因此得注意:严格说,上式(产生率公式)中的少子寿命应是额外载流子的产生寿命而非小注入复合寿命。产生寿命 sc...
光均匀照射在60 ·cm的n型硅样品上,电子-空穴对的产生率为 4*10^(21)cm^(-3)⋯^(-1) 1,样品寿命为8μs。 试计算光照前后样品的电导率。 相关知识点: 试题来源: 解析 【解】根据电导率和电阻率的关系,可得 σ=1/ρ=1/6=0.17S/cm 光照产生的非平衡载流子浓度为 An=△p=gr=4 ×1021 ×8 ...
在掺杂浓度ND=1016cm-3,少数载流子寿命为10us的n型硅中,如果由于外界作用,少数载流子全部被清除,那么在这种情况下,电子-空穴对的产生率是多大?(Et=Ei)。 相关知识点: 试题来源: 解析 解:由 少数载流子全部被清除,即p=0,由知 由Et=Ei,,且 即产生率为...
六、(15分) 光照射如图所示P型样品,假设光被均匀地吸收,电子-空穴对的产生率为G(小注入),少子的寿命为,开始光照(t=0)时,过剩少子浓度为零。⑴.求出在光照开始后任意时刻t的过剩少子浓度;⑵.不考虑表面复合,求出在光照达到稳定时的过剩少子浓度分布;(3). 当x=0的表面的表面复合速度为S时,求出样品中...
1【题目】室温下,光照一个杂质浓度为 1.5*10^(15)cm^(-3) 的p型硅样品,均匀地产生非平衡载流子,电子-空穴对的产生率为 10^(17)cm^(-3)⋯^(-1) ,电子迁移率 μ_n=1350cm^2/(V⋯) 样品中少子电子寿命为15ps。(1)设本征费米能级E位于带隙中央,求光照下准费米能级的位置,并和光照前的费米...
光照一个1Ω·cm的n型硅样品,均匀产生非平衡载流子,电子-空穴对的产生率为10^(17)cm^(-3)⋯^(-1) ,寿命为10us,表面复合速度为100cm/s。已知1Ω·cm的n型硅,其 N_D=5*10^(15)cm^(-3) μ_p=400cm^2/(V⋯) 。(1)求单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。(2)求单位时间单位表面积在距...
计算无光照和有光照的电导率。其中,已知,μ_p=1350cm^2/r=,。(8分) 答案 解:室温下,杂质全部电离,。无光照:……….(3分)有光照: ……….(2分)……….(3分)相关推荐 1室温下,n型硅样品中,掺杂浓度。光均匀照射样品上,电子-空穴对的产生率为,样品寿命为。计算无光照和有光照的电导率。其中,已知...
1用光照射N型半导体样品(小注入)。假设光被均匀 地吸收,电子-空穴对的产生率为G,空穴的寿命 为P。光照开始时,即戶0, Ap=O,试求出:(1)光照开始后任意时刻t的