电子-空穴对复合速率的影响很大。根据查询相关公开信息显示,空穴对复合速率的影响主要体现在激子数量和激子能量方面。空穴的增多会增加激子数量,从而增加复合速率。而空穴的增多也会提高激子的能量,从而加快复合反应的速率。
复合率就是1/x。 现在我在半导体表面引入一层金属,会有surface plasmon产生。即表面等离子体。电子空穴对复合之后的能量会直接转移到surface plasmon。这相当于电子空穴对有增加了一种复合方式。那么电子空穴对的寿命就会较少。假设现在电子空穴对的寿命为y、那么现在的复合率就是1/y。 我的问题是,同样的激发光(光...
本发明的高电子空穴对分离率nb2o5/2dg-c3n4复合光催化剂,其特征在于:纳米球花状五氧化二铌(nb2o5)占整个nb2o5/2dg-c3n4复合光催化剂质量为5%-20%,以2dg-c3n4为基体,纳米球花状nb2o5在其表面上均匀分布并形成致密界面,以形成异质结构;光催化性能结果表明,相对于单体2dg-c3n4和纳米球花状nb2o5,该复...
光照一个1Ω·cm的n型硅样品,均匀产生非平衡载流子,电子-空穴对的产生率为10^(17)cm^(-3)⋯^(-1) ,寿命为10us,表面复合速度为100cm/s。已知1Ω·cm的n型硅,其 N_D=5*10^(15)cm^(-3) μ_p=400cm^2/(V⋯) 。(1)求单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。(2)求单位时间单位表面积在距...
本发明涉及的是一种高电子空穴对分离率复合光催化剂及其制备方法.将水热合成纳米球花状的NbO材料置于去离子水中超声至均匀分散,然后将得到的悬浮液滴入三聚氰胺中,进行搅拌,混合均匀;最后将搅拌均匀的混合物移至坩埚中,放入马弗炉中进行二次煅烧,得到的白色固体即为所述NbO/2D gCN光催化材料.吉海燕...
下列关于激子的说法正确的是:A.激子是存在库仑相互作用的电子和空穴对B.激子能够提高电子和空穴对的复合几率C.激子也可以看作是一种载流子,激子的运动能够产生电流D.激子的
原理:电致发光是通过正负电极向发光层的最高占有轨道(HOMO)和最低空轨道(LUMO)分别注入空穴和电子,这些在电极附近生成的空间电荷相对迁移,在发光层内,电子和空穴相遇复合,形成激子,激子经过辐射衰变而发射可见光,或者激发活性层中其他发射体分子而发光。 1载流子的注入,从阴极和阳极注入;2载流子的...
光学损失,光激发电子空穴对的复合,电流输出过程中的损失 减少光学损失:电池表面上的接触面尽可能小,光照面使用反射膜,利用表面蚀减少反射,增加电池厚度提高光吸收 减少电子空穴对的复合:采用具有合适性能的半导体材料,利用敦化技术减少表面缺陷导致的复合。
用户注销 (文坛精英) 我就是我,凌乱的奥利奥。 C-EPI: 1 应助: 61 (初中生) 贵宾: 0.141 金币: 203.9 散金: 14509 红花: 117 沙发: 231 帖子: 12470 在线: 774.6小时 虫号: 0 注册: 2015-01-29 专业: 化学反应工程 管辖: 催化本帖仅楼主可见 »...