的n型Si样品上,电子-空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1,样品寿命为8μs。试计算光照前后样品的电导率。 相关知识点: 试题来源: 解析 解:光照前 光照后 Δp=Gτ=(4×1021)(8×106、)=×1017 cm3、 则 答:光照前后样品的电导率分别为Ω1、cm1、和Ω1、cm1、。
复合率为负值表示此时产生大于复合,电子-空穴对的产生率另解:若非平衡态是载流子被耗尽,则恢复平衡态的驰豫过程将由载流子的复合变为热激发产生,产生率与少子寿命的乘积应等于热平衡状态下的少数载流子密度,因此得注意:严格说,上式(产生率公式)中的少子寿命应是额外载流子的产生寿命而非小注入复合寿命。产生寿命 sc...
光均匀照射在60 ·cm的n型硅样品上,电子-空穴对的产生率为 4*10^(21)cm^(-3)⋯^(-1) 1,样品寿命为8μs。 试计算光照前后样品的电导率。 相关知识点: 试题来源: 解析 【解】根据电导率和电阻率的关系,可得 σ=1/ρ=1/6=0.17S/cm 光照产生的非平衡载流子浓度为 An=△p=gr=4 ×1021 ×8 ...
在掺杂浓度ND=1016cm-3,少数载流子寿命为10us的n型硅中,如果由于外界作用,少数载流子全部被清除,那么在这种情况下,电子-空穴对的产生率是多大?(Et=Ei)。 相关知识点: 试题来源: 解析 解:由 少数载流子全部被清除,即p=0,由知 由Et=Ei,,且 即产生率为...
室温下,光照一个杂质浓度为1.5×1015cm-3的p型硅样品,均匀地产生非平衡载流子,电子-空穴对的产生率为 10^(17)cm^(-3)⋯^(-1) ,电子迁移率 μ_n=1350cm^2/(V⋯) ,样品中少子电子寿命为15us。(1)设本征费米能级E1位于带隙中央,求光照下准费米能级的位置,并和光照前的费米能级进行比较。(2)设...
室温下,n型硅样品中,掺杂浓度H_D=10^(16)cm^(-3)。光均匀照射Si样品上,电子-空穴对的产生率为,样品寿命为8μs。计算无光照和有光照的电导率。其中,已知
六、(15分) 光照射如图所示P型样品,假设光被均匀地吸收,电子-空穴对的产生率为G(小注入),少子的寿命为,开始光照(t=0)时,过剩少子浓度为零。⑴.求出在光照开始
光照一个1Ω·cm的n型硅样品,均匀产生非平衡载流子,电子-空穴对的产生率为10^(17)cm^(-3)⋯^(-1) ,寿命为10us,表面复合速度为100cm/s。已知1Ω·cm的n型硅,其 N_D=5*10^(15)cm^(-3) μ_p=400cm^2/(V⋯) 。(1)求单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。(2)求单位时间单位表面积在距...
在掺杂浓度N=1016cm3,少数载流子寿命为10us的n型硅中,如果由于外界作用,少数载流子全部被清除,那么在这种情况下,电子-空穴对的产生率是根据爱因斯坦关系:___