电子迁移率,在外电场作用下液态介质内的电子受到加速而迁移,称电子迁移。迁移率(单位场强下的电子迁移速率)是沿着外电场施加于电子上的作用力方向,通常小于无规热运动速率,其大小由介质阻碍与外场加速间达到的平衡来确定,是一个平均速率。
电子迁移率是指电子在半导体中运动的速率,它受到材料结构和温度等因素的影响。 一、什么是电子迁移率 电子迁移率是描述半导体材料中电子运动特性的重要物理参数,一般用μ表示。它表示电子在半导体材料中的平均漂移速率与电场强度之比,即μ=vd/E,其中vd为电子漂移速度,E为电场强度。具体来说,电子迁...
电子迁移率 在电场作用下，半导体中的载流子作定向漂移运动,由此形成的电流称为漂移电流。在电场强度不太大时，电子和空穴移动的速度（也称漂移速度）vn、vp与电场强度E成正比，可表示为 vn=－mnE 或vp=mpE式中，mn为电子迁移率；mp为空穴迁移率。迁移率m是单位电场强度引起的载流子的平均漂移速度，其数值与半导体...
电子迁移率（英语：electron mobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空穴迁移率（hole mobility）。人们常用载流子迁移率（carrier mobility）来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。概念 电子运动速度等于迁移率乘以电场强度 ，...
电子迁移率是空穴的2.5倍(在硅基CMOS工艺中),运算就是用这些大大小小的MOS管驱动后一级的负载电容,翻转速度和负载大小一级前级驱动能力相关。为了上升延迟和下降延迟相同,PMOS需要做成NMOS两倍多大小。 知乎小知 摘录于 2020-04-24 讨论量 110 知乎隐私保护指引申请开通机构号联系我们...
在外电场作用下液态介质内的电子受到加速而迁移,称电子迁移。迁移率(单位场强下的电子迁移速率)是沿着外电场施加于电子上的作用力方向,通常小于无规热运动速率,其大小由介质阻碍与外场加速间达到的平衡来确定,是一个平均速率。单位:cm²/vs ,反应电子在单位电压下运动快慢 ...
有了有效质量的概念,就可以依照自由电子的迁移率μe的求法,计算得到晶格场中的电子迁移率为 式中,e为电子电荷;m*为电子的有效质量,决定于晶格,氧化物的m*一般为me的2~10倍;对于碱性盐,有:m*=me/2; 为平均自由运动时间。 除与晶格缺陷有关外,还决定于温度T。其大小是由载流子的散射强弱来决定的。散射越...
在外电场作用下液态介质内的电子受到加速而迁移,称电子迁移。迁移率(单位场强下的电子迁移速率)是沿着外电场施加于电子上的作用力方向,通常小于无规热运动速率,其大小由介质阻碍与外场加速间达到的平衡来确… 关注话题 管理 分享 百科 讨论
电子迁移率是指在某一物质中,电子在运动时遇到障碍物时,能够克服这种阻力向另一方向运动的能力。可以理解为电子运动的流畅程度或电子传导能力的强弱。 1.电子迁移率与材料性质有关 电子迁移率与材料的晶格结构、掺杂状态、温度等因素密切相关。比如,材料晶体质量越好、晶格越完整,其内部离子排列也越规整,其电子迁移率...