c㎡/v·s,载流子迁移率在固体物理学中用于指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。电子运动速度等于迁移率乘以电场强度,也就是说相同的电场强度下,载流子迁移率越大,运动得越快;迁移率小,运动得慢。 同一种半导体材料中,载流子类型不同,迁移率硅中载流子迁移率随掺杂浓度的变化曲线不同,一般是电子的迁移率高于空穴。
迁移率（mobility）是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。它的单位是厘米²/（伏·秒）。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率。迁移率与载流子的有效质量和散射概率成反比。载流子的有效质量与材料有关，不同的半导体中电子有不同的有效质量。如硅中电子的...
电绿象子迁移率的单位是m/(vcs)，反映电子在单位电压下运动快慢。
迁移率是指物质在单位电场力下运动的速率，其单位是（cm²/V·s）。1、迁移率的定义与计算方法 迁移率是指电子、空穴或其他电荷载体在外加电场中移动的速率。它是由载流子的运动性质决定的，具有单位电场力下的速率量纲。迁移率可以通过测量材料中的载流子迁移长度和施加的电场强度来计算。迁移率的...
精华评论 jacques7178 每秒钟每伏特电压下电子的运动范围大小 coldcity 单位电场下电子的速度 夜冷冷 电子迁移率指的是单位电场下电子的平均漂移速度~ leonlhf 有道理,学习啦。谢谢! junhuisun 即si中单位电场下电子的迁移速率,表示电子迁移率的大小,跟材料本身有关,...
到在低掺杂硅材料中,电子的迁移率为0.135m^2/(Vs).MOS管绝缘层的厚度大概在20nm,那么单位面积的电容大概有10^7这个数量级.拿这个数据乘以电子迁移率,再乘以W/L,W为绝缘层宽度,L为绝缘层长度,数量级仍在10^7,乘以栅极输入电压以后,漏极输出电流在10^8数量级,这显然是不可能的,怀疑是电子的迁移率数据不对...
23％ 17％ 200％ 用脑子想向得到的
题目 关于“载流子的迁移率”,以下说法正确的是:? 电子的迁移率大于空穴的迁移率。电子的迁移率为正。迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度。迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值。 相关知识点: 试题来源: 解析 迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值。 反馈 收藏 ...