封装 DFN2*3 数量 666 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 130C 最小电源电压 1.5V 最大电源电压 6V 长度 5.7mm 宽度 3.2mm 高度 1.4mm 可售卖地 全国 型号 KJ3R12A 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,...
封装: DFN2*3 数量: 938 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 9V 长度: 8.2mm 宽度: 5.7mm 高度: 1mm 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买...
封装: X3DFN2 批次: 1509 数量: 3000 类别: 电路保护 TVS - 二极管 制造商: onsemi 双向通道: 1 电压- 反向断态(典型值): 5.5V(最大) 电压- 击穿(最小值): 6.5V 不同Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 19V 电流- 峰值脉冲 (10/1000µs): 3.6A(8/20µs) 功率- 峰值脉冲: 34W 电源线路保...
封装 X3DFN2 批号 23+ 数量 2000 制造商 ON Semiconductor 产品种类 ESD 抑制器/TVS 二极管 RoHS 是 产品类型 ESD Suppressors 极性 Bidirectional 工作电压 7 V 通道数量 1 Channel 端接类型 SMD/SMT 封装/ 箱体 X3DFN-2 击穿电压 8 V 钳位电压 18 V 峰值脉冲功耗 (Pppm) 12.2 W ...
矽源特ChipSourceTek-CST3325M是DFN2*3-8L封装。20V,25A的双N-Mosfet。矽源特ChipSourceTek-CST3325M是BVDSS=20V,RDSON=5.8mΩ,ID=25A的双N沟道Mosfet。提供DFN2030-8L封装。 矽源特ChipSourceTek-CST3325M是BVDSS=20V,RDSON=5.8mΩ,ID=25A的双N沟道Mosfet。提供DFN2030-8L封装。
ETA3000采用的是SOT23-6和DNF2*2的封装外型。芯片整体非常小巧,可以灵活应用在各种设备里面。比如像平衡车、智能门锁、打气泵、筋膜枪、多串移动电源和蓝牙音箱等等。 实际应用案例 罗马仕30000mAh移动电源 罗马仕推出了一款30000mAh的移动电源8PS Pro,这款移动电源具备2A 1C 1L 1M共计5个接口,对充电器的兼容性非...
IRS23364 电子元器件 国硅集成-NSIC 封装SOP28 批号23+ ¥ 0.10 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: 捷捷微-JieJie 封装: DFN2*2-3L 批号: 23+ 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 4V 最大电源电压...
封装 DFN3X3-8 批号 2020+ 数量 22365512 FET类型 单N沟道 漏源电压(Vdss) 25 漏极电流(Id) 40 漏源导通电阻(RDS On) 5.8 栅源电压(Vgs) 12 栅极电荷(Qg) 12 反向恢复时间 1.8 最大耗散功率 26 配置类型 增强型 工作温度范围 -50°~150° 安装类型 贴片 应用领域 家用电器 可...
封装 DFN3x2 批号 22+ 数量 30000 湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道(双) FET 功能 逻辑电平门 漏源电压(Vdss) 20V 功率- 最大值 1.7W 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SMD,扁平引线...
封装 DFN2*2 批号 23+ 数量 7500 制造商 NXP 产品种类 NXP Semiconductors 商标 NXP Semiconductors 产品应用 电子设备 是否支持订货 是 现货交期 1个工作日内 是否支持样品 是 产品认证 UL,RoHS,CSA,TUV 是否提供FAE 是 可售卖地 全国 类型 电子元器件 型号 PMPB33XP 价格说明 价格:商品在...