封装 DFN 2*3 批号 22+ 数量 650664 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 80C 最小电源电压 3V 最大电源电压 6.5V 长度 8.5mm 宽度 7.5mm 高度 2.8mm 可售卖地 全国 型号 P24C02A-UNH-MIR 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品...
封装DFN2*3-8L 锂电保护IC R6008A询盘留言 价格￥0.23￥0.22￥0.20 起订量3000个起批30000个起批60000个起批 货源所属商家已经过真实性核验 产品型号R6008A 数量 产品信息 联系方式 品牌 斯瑞纳 型号 R6008A 货号 2021 材质 硅 联系方式 莫长青
封装 DFN2*3 批号 24+ FET类型 N通道MOS管 漏源电压(Vdss) 20V 漏极电流(Id) 11A 漏源导通电阻(RDS On) 7.2mΩ 栅源电压(Vgs) ±20A 栅极电荷(Qg) 24.9nC 反向恢复时间 23.8ns 最大耗散功率 62.5 配置类型 沟槽型 工作温度范围 -55 to 150 ℃ 安装类型 表面贴装式 应用领域 ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 KJ8233Q、 快捷芯、 DFN2、 3 商品图片 商品参数 品牌: 快捷芯 封装: DFN2*3 数量: 938 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 9V 长...
矽源特ChipSourceTek-CST3325M 概述：矽源特ChipSourceTek-CST3325M是DFN2*3-8L封装。20V,25A的双N-Mosfet。矽源特ChipSourceTek-CST3325M是BVDSS=20V,RDSON=5.8mΩ,ID=25A的双N沟道Mosfet。提供DFN2030-8L封装。 矽源特ChipSourceTek-CST3325M是BVDSS=20V,RDSON=5.8mΩ,ID=25A的双N沟道Mosfet。提供DFN...
矽源特ChipSourceTek-CST3325M是DFN2*3-8L封装。20V,25A的双N-Mosfet。矽源特ChipSourceTek-CST3325M是BVDSS=20V,RDSON=5.8mΩ,ID=25A的双N沟道Mosfet。提供DFN2030-8L封装。 矽源特ChipSourceTek-CST3325M是BVDSS=20V,RDSON=5.8mΩ,ID=25A的双N沟道Mosfet。提供DFN2030-8L封装。
充电管理芯片品牌斯瑞纳电子|产地广东深圳|价格27.00元|型号THR478A|核心词充电管理芯片|材料硅|封装形式DFN2*3-6L|过放电检测电压(V)2.75V±100mV|过放电释放 电压3.0V±100mV|向OV电池 充电功能有|过放自恢复有|系列IC保护系列|应用领域家用电器|经验行业资深|特色服务质量保证 技术支持|材质硅。广东深圳充电...
ESD7181MUT5G TVS二极管ON/安森美 封装X3DFN2一级代理分销经销商 ESD7181MUT5G TVS二极管ON/安森美 封装X3DFN2一级代理分销经销商 ESD7181MUT5G正品(TVS DIODE 18.5VWM 35VC 2X3DFN)电话075582542001邮箱lily@szkoyu.com谢谢惠顾~
封装 DFN2X3-8L 批号 20+ 数量 5000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 80C 最小电源电压 2V 最大电源电压 7V 长度 8.3mm 宽度 6.5mm 高度 1.2mm 可售卖地 全国 型号 NCE20PK0302U 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加...
产品型号:NSM2019量程范围:20~200A供电电:3.3V/5V爬电距离/电气间隙:8.2mm/8.2mm温度范围:-40℃~150℃信号带宽/响应时间:320kHz/1.5μs 立即咨询 NSM2017 SOW-16 芯片级封装电流传感器2024-01-10 11:30 产品型号:NSM2017量程范围:20~65A供电电压:3.3V/5V爬电距离/电气间隙:8mm/8mm温度范围:-40℃~125℃...