在封装方面,矽源特ChipSourceTek-CST3325M采用DFN2030-8L封装,这种封装形式不仅提高了器件的集成度,还有助于减小电路板的占用空间,从而优化了整体系统的布局。同时,DFN封装还具备优良的散热性能,保证了器件在高负荷工作时的稳定性。 矽源特ChipSourceTek-CST3325M的特点还体现在其沟槽FET功率MOSFET结构上。这种结构使...
封装 DFN2*3-8 批号 2022+ 数量 1000000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 130C 最小电源电压 4.5V 最大电源电压 6V 长度 1.5mm 宽度 5.7mm 高度 2.1mm 可售卖地 全国 型号 RB6008A 深圳元盛达主产品线有: 英集芯/南芯/赛芯微 电源管理芯片 龙腾/冠禹...
产品型号R6008A 数量 产品信息 联系方式 品牌 斯瑞纳 型号 R6008A 货号 2021 材质 硅 封装 封装DFN2*3-8L 批号 2021+ 应用领域 家用电器 特色服务 质量保证 技术支持 包装 一盘3000PCS 联系方式 莫长青 774999923 13380799980 广东深圳市龙华区汇隆智造空间A503 ...
封装 DFN2*3-8L 批号 新年份 数量 8660 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 130C 最小电源电压 1.5V 最大电源电压 9.5V 长度 3.5mm 宽度 2.1mm 高度 2.1mm 可售卖地 全国 型号 MX16171D100 技术参数 品牌: 无锡明芯微 型号: MX16171D100 封装: DFN2...
矽源特ChipSourceTek-CST3325M是DFN2*3-8L封装。20V,25A的双N-Mosfet。矽源特ChipSourceTek-CST3325M是BVDSS=20V,RDSON=5.8mΩ,ID=25A的双N沟道Mosfet。提供DFN2030-8L封装。 矽源特ChipSourceTek-CST3325M是BVDSS=20V,RDSON=5.8mΩ,ID=25A的双N沟道Mosfet。提供DFN2030-8L封装。矽源特ChipSourceTek-...
概述:CL1303是数模混合电路设计的带充电功能的PWM恒压输出电子雾化驱动ASIC,采用DFN2*3-8封装,具有超低功耗,可以驱动1.2Ω电阻的发热丝,彻底解决原有的MCU控制方案的死机现象。芯片采用气压传感器检测信号,避免误触发现象。输出电压恒定,波动极小。LED输出脚可驱动一颗LED灯作为电子雾化器的信号灯与用户进行可视化交互...
最大电源电压 8V 长度 5.2mm 宽度 1.2mm 高度 2.4mm 可售卖地 全国 型号 SY5238DGD 技术参数 品牌: SILERGY/矽力杰 型号: SY5238DGD 封装: DFN2*3-8 批号: 23+ 数量: 20150 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 5V 最大电源电压: 8V...
XC3108赛芯充电管理芯片的三个封装DFN2x2-8/DFN2x3-8/ ESOP81.充电管理芯片的充电1A,耐压30V,带NTC,带防反接功能,电池端高耐压!应用电子烟,价格优势!三个封装DFN2x2-8/DFN2x3-8/ ESOP82.耐压30V,充电600毫安.不带NTC封装sot23-5价格优势,应用电子烟 送TA礼物 1楼2021-10-08 19:49回复 ...
集成电路ic设计 集成电路ic芯片大全 集成电路(IC)的主要优点是什么? 集成电路IC工厂建设的设计核心是 集成电路IC设计是干嘛的 集成电路IC的封装类型一般有通孔型和表面安装型两种 集成电路IC 集成电路ic设计工程师 集成电路ic工业在生产中对防微振有较高的要求 ...
矽源特NS4990输出不需要外接耦合电容或上举电容,矽源特NS4990采用DFN(2×2)-8,DFN(3×3)-8 封装,节约电路面积,非常适合移动电话及各种移动设备等使用低电压、低功耗应用方案上使用。矽源特NS4990 可以通过控制进入休眠模式,从而降低功耗。 矽源特NS4990通过创新的“开关/切换噪声”抑制技术,杜绝了上电、掉电出现...