然后经过内部处理,使得6号引脚输出的VTTREF始终位于VDDQ/2的误差范围内,不会出现太大波动。 3号引脚输出电压为DDR提供VTT,这个就是DDR地址线和控制线的上拉电源,必须小于0.95V。如果输出电压稳定,则9号引脚输出高电平。7号引脚是内部LDO的使能引脚,为高电平时工作。 图16 TI官方推荐的电路连接 DDR3的原理图大致...
如果简单把上管开启后的情况看成是 VCCQ--[RS]--VIN--[RT]--VTT这种电阻分压的形式,显然VTT电压下降会导致VIN电压跟着下降——结论是,VTT电压不能过低。同理,VTT电压也不能过高,理想情况下,VTT应该是跟随VREF变化。 Ø无源端接 无源端接即使用两个电阻分压产生VTT=VDDQ/2。这两个电阻的阻值需要足够小,...
它将同步降压稳压控制器(VDDQ) 与 2A 灌/拉跟踪 LDO(VTT) 和缓冲低噪声参考 (VTTREF) 集成在一起。TPS51216-EP 采用 D-CAP™ 模式与 300 kHz/400 kHz 频率耦合,易于使用且瞬态响应快速。VTTREF 以 0.8% 的出色精度跟踪 VDDQ/2。VTT 提供 2A 灌电流/拉电流峰值能力,只需要 10μF 的陶瓷电容。此外,...
电流模式:支持陶瓷输出电容,提供灵活的电源设计。 软关断功能:在S4/S5状态下支持VDDQ、VTT和VTTREF的软关断。 2. 3A LDO 高电流能力:LDO能够源和沉3A的峰值电流。 快速瞬态响应:仅需20μF(2个10μF并联)的陶瓷输出电容。 低噪声缓冲参考:提供10mA的低噪声缓冲参考电压...
T3组的VREF引脚与VTTREF(即二分之一DDR3的电压)相连。T3组的其他的引脚与第二个DDR3的D8到D15、UDM连接。DDR3 SDRAM地址控制线的连接方式：DDR3 的地址和控制线连接的FPGA的Bank应与DDR3的数据线连接的Bank相邻。建议控制线(RAS_N, CAS_N, WE_N, CS_N, CKE, ODT)连同一组，地址线连其它的组。系统...
The TPS51206 是一款具有VTTREF 缓冲基准输出的 –2 A 峰值吸收及供电电流 吸收/供电双倍数据速率(DDR) 终端稳压器。该器件 – 只需要采用1 0 μF MLCC 输出电容器 专为那些将空间作为一项重要考虑因素的低输入电压、 –±2 0 mV 准确度 低成本、低外部组件数系统而特别设计。TPS51206 ...
使用VTT电源时,必须小心管理来自端接的高频电流。建议每四个端接使用一个1μF旁路电容,每25个端接使用一个100μF旁路电容。 地址和控制信号(A、BA、RAS、CAS、WE、CS、CKE、ODT)将通过板载DIMM终端终止。如果不存在DIMM终端或正在使用组件,则应在线路远端使用40Ω的上拉至VTT(图6)。除了需要差分端接的CK/CK...
如果不存在DIMM终端或正在使用组件,则应在线路远端使用40Ω的上拉至VTT(图6)。除了需要差分端接的CK/CK_N,如图1-93所示。 可以使用VCCO的80Ω分立式端接和GND的80Ω端接(图7),但需要更多的功耗。对于双向信号,需要在信号的两端端接。ODT应该在内存端使用。为了在HP bank中获得最佳性能,应该使用DCI。为了在...
1•输入电源电压:支持3.3V和5V电源轨TPS51206是一款具有VTTREF缓冲参考输出的灌/拉 电流双倍数据速率(DDR)端接稳压器。该器件专门针•VLDOIN输入电压范围:VTT+0.4V至3.5V 对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限类系•VTT端接稳压器 统而设计。TPS51206可保持快速的瞬态响应,并且–输出电压范围:0.5...
以DDR2为例,电气标准为SSTL_18,VREF和VTT为900mV。 VREF+AC noise=936mV,VREF-AC noise=864mV,VREF+DC error=918mV,VREF-DC error=882mV。 VREF的电压噪声或偏差会导致潜在的时钟误差,抖动和内存总线错误判定。例如如果VREF噪声较大或者偏离VDDQ/2较多,接收端的会检测到不期望的逻 辑电平,输入信号斜率将会...