VTT 被用来从DDR控制器IC中获取电压,给数据总线和地址总线提供电源,VTT不直接应用在DDR器件上,而是在系统电源上(VTT和终端电阻都被集成到 DDR CONTROLLER上),因此不需要在电路图中额外标出。它的值通常设定大致等于VREF的值(在VREF上下0.04V浮动),并且随着VREF的变 化而变化。对于DDR1 SDRAM应用中的地址总线控制信...
当slew rate等于1V/ns时,derating为0,不需要调整;当slew rate大于1V/ns(更快)时,从Vref到Vih(ac)所需的时间就少,预减多了,要补回来,所以取值为正;当slew rate小于1V/ns(更慢)时就预减少了,所以取值为负。 至于建立时间和保持时间的参考电压值不一致,主要是因为AC和DC的代表的意义不一样,AC指由高低...
VCC_DDR为2倍的VTT_DDR，VTT_DDR等于VREF_DDR；SMBDATA，SMBCLK是主板上一种基于I2C协议的总线。
对于电源电压,DDR SDRAM系统要求三个电源,分别为VDDQ、VTT和VREF。 尽管DDR存储器在无需加倍时钟频率的情况下使数据传输率加倍,避免了PC板设计和布局的复杂性,但它要求有更严格的DC稳压、更高的电流和对端电源电压(VTT)和存储总线电压(VDD)紧密的跟踪。新型串联端接逻辑(SSTL)拓朴的引入是用于提高抗噪性、增加电...
Vref大概3MA左右电流~主要Vtt大概需要几百ma电流~而且DDR参考手册说~Vtt和Vref最好连接在同一个电源上...
本文最初于 DesignCon 大会上发表并获得了最佳论文奖提名,其中研究了DDR4 的伪漏极开路驱动器,以及其使用对接收器的功耗和Vref 电平而言的意义。 DDR4 是 JEDECDRAM部件系列的下一阶段,旨在满足市场对更高速度和更低功耗的需求。这些因素构成了 DDR4 的新特性以及设计 DDR4 系统时需要予以考虑的新要求。
DDR VREF 请问DDR的VREF电源信号走线有什么要求和他匹配的电阻该放在什么位置最好? [/img] 如图,线宽只有8MIL,会出现什么情况啊? VREF线宽须得大于20MIL 就是一个参考电压走8mil应该不会有什么问题 VREF is not a high current supply, but it is important to keep it as quiet as possible with minimal...
AM437x的参考设计中,DDR_VREF的不同接法的区别是什么 从不同的参考设计中,有两种接法,这两种接法不什么规则么,是什么原因导致的不同的接法呢?
一般采用现成的芯片，会同时提供Vref和Vtt，例如TPS51200 参考
一种ddr接口电路用自动调整参考电平vref的方法, 数据从控制端发送到存储端时,控制端读取控制端的驱动控制和存储端的终端阻抗控制,得到驱动电阻大小和终端阻抗大小,计算直流分压电平,控制端通过vref控制信号在存储端产生相同电平的vref; 数据从存储端发送到控制端时,控制端读取存储端的驱动控制和控制端的终端阻抗控制,得...