如果简单把上管开启后的情况看成是 VCCQ--[RS]--VIN--[RT]--VTT这种电阻分压的形式,显然VTT电压下降会导致VIN电压跟着下降——结论是,VTT电压不能过低。同理,VTT电压也不能过高,理想情况下,VTT应该是跟随VREF变化。 Ø无源端接 无源端接即使用两个电阻分压产生VTT=VDDQ/2。这两个电阻的阻值需要足够小,...
它将同步降压稳压控制器(VDDQ) 与 2A 灌/拉跟踪 LDO(VTT) 和缓冲低噪声参考 (VTTREF) 集成在一起。TPS51216-EP 采用 D-CAP™ 模式与 300 kHz/400 kHz 频率耦合,易于使用且瞬态响应快速。VTTREF 以 0.8% 的出色精度跟踪 VDDQ/2。VTT 提供 2A 灌电流/拉电流峰值能力,只需要 10μF 的陶瓷电容。此外,...
1 强大的负载能力 能够承受12A的持续输出电流,以及13A的瞬时输出电流;1%的VTTREF输出电压精度; 2 极大地消除工作噪声 NB685拥有USM MODE(超音频模式),即使在低负载工作也不会造成声音污染; 3 超低的静态电流(135uA) 使芯片在待机过程中不产生过多的能源损耗,极大的提高了工作效率; 即使是低负载工作状态,也能够...
使用VTT电源时,必须小心管理来自端接的高频电流。建议每四个端接使用一个1μF旁路电容,每25个端接使用一个100μF旁路电容。 地址和控制信号(A、BA、RAS、CAS、WE、CS、CKE、ODT)将通过板载DIMM终端终止。如果不存在DIMM终端或正在使用组件,则应在线路远端使用40Ω的上拉至VTT(图6)。除了需要差分端接的CK/CK...
然后经过内部处理,使得6号引脚输出的VTTREF始终位于VDDQ/2的误差范围内,不会出现太大波动。 3号引脚输出电压为DDR提供VTT,这个就是DDR地址线和控制线的上拉电源,必须小于0.95V。如果输出电压稳定,则9号引脚输出高电平。7号引脚是内部LDO的使能引脚,为高电平时工作。 图16 TI官方推荐的电路连接 DDR3的原理图大致...
如果不存在DIMM终端或正在使用组件,则应在线路远端使用40Ω的上拉至VTT(图6)。除了需要差分端接的CK/CK_N,如图1-93所示。 可以使用VCCO的80Ω分立式端接和GND的80Ω端接(图7),但需要更多的功耗。对于双向信号,需要在信号的两端端接。ODT应该在内存端使用。为了在HP bank中获得最佳性能,应该使用DCI。为了在...
DDR3 SDRAM数据线的连接方式：图1是两个DDR3构成一个32位的存储器。T0组的DQS与DDR3的LDQS相连。T0组的VREF引脚与VTTREF(即二分之一DDR3的电压)相连。T0组的其他的引脚与DDR3的D0到D7、LDM连接。T1组的DQS与DDR3的UDQS相连。其他的引脚中任意9个与DDR3的D8到D15、UDM连接。T2组的DQS与第二个DDR3的...
VTT VTTREF UDG-11024 S3_SLP S5_SLP 5 V or 3.3 V Supply VDDQ T P S 5 1 2 0 6 .ti ZHCS264 –MAY 2011 具有用于DDR2 、DDR3 和 DDR3L 的 VT T REF 缓冲基准的 2 A 峰值吸收/ 供电电流 DDR 终端稳压器 查询样品: T P S 5 1 2 0 6 ...
以DDR2为例,电气标准为SSTL_18,VREF和VTT为900mV。 VREF+AC noise=936mV,VREF-AC noise=864mV,VREF+DC error=918mV,VREF-DC error=882mV。 VREF的电压噪声或偏差会导致潜在的时钟误差,抖动和内存总线错误判定。例如如果VREF噪声较大或者偏离VDDQ/2较多,接收端的会检测到不期望的逻 辑电平,输入信号斜率将会...
1•输入电源电压:支持3.3V和5V电源轨TPS51206是一款具有VTTREF缓冲参考输出的灌/拉 电流双倍数据速率(DDR)端接稳压器。该器件专门针•VLDOIN输入电压范围:VTT+0.4V至3.5V 对低输入电压、低成本、低外部元件数的空间受限类系•VTT端接稳压器 统而设计。TPS51206可保持快速的瞬态响应,并且–输出电压范围:0.5...