VTT的作用是改善信号质量,最常见的规格是0.49到0.51倍VDDQ,VTT为匹配电阻上拉到的电源,VTT=VDDQ/2。 DDR的设计中,根据拓扑结构的不同,有的设计使用不到VTT,如控制器带的DDR器件比较少的情况下。如果使用VTT,则VTT的电流要求是比较大的,所以需要走线使用铜皮铺过去。并且VTT要求电源既可以吸电流,又可以灌电流才
测试VCC_DDR、VCC_3V3、VTT_DDR、VREF_DDR上电,其中VCC_DDR、VTT_DDR有回沟,波形如下:(黄色是VCC_DDR、红色是VTT_DDR) 查看论坛其他人遇到的类似问题,认为是VTT_DDR负载电容上电瞬间充电电流过大,而VTT_DDR与VCC_DDR又共用地线,导致VCC_DDR上电又跌落,排查单板pcb布局布线,VTT_DDR与VCC_DDR...
末端下拉电阻会增大IO口驱动功耗,所以采用末端上拉电阻的方式进行端接。计算信号驱动部分的戴维南等效电压作为上拉电压Vtt,Rt为驱动部分的等效电阻,通常上拉电压取值为IO驱动电压的一般,即Vtt=Vddr/2。 ——— 版权声明:本文为博主原创文章,遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议,转载请附上原文出处链接和本声明。 原文链接...
DDR SDRAM系统需要三种主要的电源类型：VDDQ、VTT和VREF。其中，VDDQ是负责I/O缓冲器供电的电源，而VDD则为内核供电。在实际应用中，通常将VDDQ和VDD合并为一个电源进行使用。此外，某些芯片还配备了专门的DLL供电电源VDDL，它也可以与VDD共用同一电源。在电源设计时，电压和电流的稳定性是需要重点关注的。通常，电源...
在DDR (Double Data Rate) 集成电路的设计中,VTT (Termination Voltage) 电源起到了至关重要的作用。DDR电源设计需要VTT电源的原因主要有以下几点: 1. 终端电压的维持:DDR内部中终端电阻负责终端控制、信号波形的完整性以及信号传输速率的提高。终端电压必须与数据总线的信号相匹配,以确保数据传输的稳定性和准确性。
VCC_DDR为2倍的VTT_DDR，VTT_DDR等于VREF_DDR；SMBDATA，SMBCLK是主板上一种基于I2C协议的总线。
1,DDR的电压: DDR逻辑所要求的2.5V VDD的误差为+200mV.为保持噪声容限,VTT必须以±3%的精度跟随VDD变化,且必须等于VDD/2,大约为1.25V,精度±3%.最终VREF必须与VTT相差+40mV. 2,vref电压: 为参考电压,要求精准恒定,用于判断信号高低电平的依据 3,vtt电压: ...
一般是0.9V正常,这里VTTDDR就是内存基准参考电压。
在DDR-I中, VDDQ=2.5V、 VTT=1.25V; 在DDR-II中, VDDQ=1.8V、 VTT=0.9V。 DDR VTT电源的由来 DDR接口规范符合SSTL_2标准(JEDEC标准JESD8-9B) , 英文全称为: Stub Series Terminated Logic for 2.5V, 中文翻译为: 短截线串联端接逻辑。 SSTL_2可提供充分的输出电流驱动来实施至关重要的高速信令的并联...
DDR3VTT电压是指DDR3内存中的终端电压(VTT),它是控制DDR3内存供电电压的一个关键参数。DDR3VTT电压的大小直接影响到内存模块的稳定性和可靠性。 DDR3VTT电压的正确设置可以保证内存模块的稳定性。在DDR3内存中,VTT电压的大小决定了内存信号的幅值和稳定性。如果DDR3VTT电压设置过高或过低,都会导致内存模块无法正常...