VTT 被用来从DDR控制器IC中获取电压,给数据总线和地址总线提供电源,VTT不直接应用在DDR器件上,而是在系统电源上(VTT和终端电阻都被集成到 DDR CONTROLLER上),因此不需要在电路图中额外标出。它的值通常设定大致等于VREF的值(在VREF上下0.04V浮动),并且随着VREF的变 化而变化。对于DDR1 SDRAM应用中的地址总线控制信...
VTT 被用来从DDR控制器IC中获取电压,给数据总线和地址总线提供电源,VTT不直接应用在DDR器件上,而是在系统电源上(VTT和终端电阻都被集成到 DDR CONTROLLER上),因此不需要在电路图中额外标出。它的值通常设定大致等于VREF的值(在VREF上下0.04V浮动),并且随着VREF的变 化而变化。对于DDR1 SDRAM应用中的地址总线控制信...
VTT 被用来从DDR控制器IC中获取电压,给数据总线和地址总线提供电源,VTT不直接应用在DDR器件上,而是在系统电源上(VTT和终端电阻都被集成到 DDR CONTROLLER上),因此不需要在电路图中额外标出。它的值通常设定大致等于VREF的值(在VREF上下0.04V浮动),并且随着VREF的变 化而变化。对于DDR1 SDRAM应用中的地址总线控制信...
一个0.1uF的电容; 具体如下图所示: 对于较重的负载(>4片DDR器件),可使用IC来产生VREF。IC内部集成了两种电压VTT和VREF,其中VTT在重负载的情况下最高电流可达3.5A,平均...线,DQ[15:8]通过1~10k的电阻接地用来阻止迸发写时的噪声。 1.3、端接技术DDR常用的端接技术有两种,分别如下: 串行端接,主要应用在负...
VTT 被用来从DDR控制器IC中获取电压,给数据总线和地址总线提供电源,VTT不直接应用在DDR器件上,而是在系统电源上(VTT和终端电阻都被集成到 DDR CONTROLLER上),因此不需要在电路图中额外标出。它的值通常设定大致等于VREF的值(在VREF上下0.04V浮动),并且随着VREF的变 化而变化。对于DDR1 SDRAM应用中的地址总线控制信...
VTT 被用来从DDR控制器IC中获取电压,给数据总线和地址总线提供电源,VTT不直接应用在DDR器件上,而是在系统电源上(VTT和终端电阻都被集成到 DDR COROR上),因此不需要在电路图中额外标出。它的值通常设定大致等于VREF的值(在VREF上下0.04V浮动),并且随着VREF的变 化而变化。对于DDR1 S应用中的地址总线控制信号和数...
VTT 被用来从DDR控制器IC中获取电压,给数据总线和地址总线提供电源,VTT不直接应用在DDR器件上,而是在系统电源上(VTT和终端电阻都被集成到 DDR CONTROLLER上),因此不需要在电路图中额外标出。它的值通常设定大致等于VREF的值(在VREF上下0.04V浮动),并且随着VREF的变 化而变化。对于DDR1 SDRAM应用中的地址总线控制信...
叠加在VREF电压的串扰或噪声能直接导致内存总线发生潜在的时序错误、抖动和漂移。很多电源芯片会把VREF和VTT从同一源输出,但是由于使用的目的不同,走线也完全不同。VREF最好和VTT在不同平面,以免VTT产生的噪声干扰VREF。而且无论是在DDR控制器端还是DDR存储器端,VREF脚附近都应放置去耦电容,消除高频噪声。VREF的走线...
DDR的接收器是一个比较器,其中一端是VREF,另一端是信号,例如地址线A2在有VTT上拉的时候,A2的信号在0和1.8V间跳动,当A2电压高于VTT时,电流流向VTT。当A2低于VTT时,VTT流向DDR。此外,VTT电源相当于DDR接收器信号输入端的直流偏执,且这个偏执等于VREF,因此VTT的噪声要越小越好,否则当A2的状态为高阻态时,DDR接收...
对于DDR SDRAM系统的电源供电，除了常规的VCC电源以外，要求有三组电源，分别为：VDDQ，VTT和VREF。其中，根据拓扑结构的不同，有的设计无需使用有源VTT（如控制器所带较少数量DDR的情况下），而在一驱多的情况下，VTT要求拉灌电流能力较大，此时需要使用DDR终端稳压器。为此，拓尔微推出一颗DDR终端稳压器TMI62033...