DDR的VREF训练 技术追梦人 集成电路从业者 来自专栏 · DDR 功能解析 1 人赞同了该文章 参考电压的步长范围为0.5%VDDQ到0.8%VDDQ。 (1) MR6 [7]设置为1,进入DQ参考电压校准模式,MR6[6]为range,MR6 [5:0]为value,如果MR6 A7=0,MR6 A[6:0]将不会被写入。 (2) 满足tVREFDQE时序后,发送与VrefDQ校准...
VTT 被用来从DDR控制器IC中获取电压,给数据总线和地址总线提供电源,VTT不直接应用在DDR器件上,而是在系统电源上(VTT和终端电阻都被集成到 DDR CONTROLLER上),因此不需要在电路图中额外标出。它的值通常设定大致等于VREF的值(在VREF上下0.04V浮动),并且随着VREF的变 化而变化。对于DDR1 SDRAM应用中的地址总线控制信...
对于电源电压,DDR SDRAM系统要求三个电源,分别为VDDQ、VTT和VREF。 尽管DDR存储器在无需加倍时钟频率的情况下使数据传输率加倍,避免了PC板设计和布局的复杂性,但它要求有更严格的DC稳压、更高的电流和对端电源电压(VTT)和存储总线电压(VDD)紧密的跟踪。新型串联端接逻辑(SSTL)拓朴的引入是用于提高抗噪性、增加电...
VREF线宽须得大于20MIL 就是一个参考电压走8mil应该不会有什么问题 VREF is not a high current supply, but it is important to keep it as quiet as possible with minimal inductance. The minimum nominal trace width for VREF is 20 mils. Necking down VREF to accommodate BGA escape and localized vi...
Vref偏移对DDR会造成什么影响,其中有比较重要的一个点就是会影响setuptime和holdtime,这两个参数和Vref又有什么关系呢,还有JEDEC中讲的derating又是什么东西呢? setuptime和holdtime对我们判断时序裕量是一个比较关键的数值。一般JEDEC里面会对于setuptime和holdtime做比较详细的描述,如下图所示, ...
VREFCA&VREFDQ 对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF,在DDR3系统中将VREF分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA,另一个是为数据总线服务的VREFDQ,它将有效的提高系统数据总线的信噪等级,如下图四所示。 编辑于 2016-12-02 16:45
一般采用现成的芯片，会同时提供Vref和Vtt，例如TPS51200 参考
本文最初于 DesignCon 大会上发表并获得了最佳论文奖提名,其中研究了DDR4 的伪漏极开路驱动器,以及其使用对接收器的功耗和Vref 电平而言的意义。 DDR4 是 JEDECDRAM部件系列的下一阶段,旨在满足市场对更高速度和更低功耗的需求。这些因素构成了 DDR4 的新特性以及设计 DDR4 系统时需要予以考虑的新要求。
Vref大概3MA左右电流~主要Vtt大概需要几百ma电流~而且DDR参考手册说~Vtt和Vref最好连接在同一个电源上...
DDR23电源VDDQ、VTT、VREF 等 VTT其实跟VREF的电平是一样的,对DDR2来说就是0.9V,但是VREF消耗 的电流很小,可以通过一个电阻网络从1.8V转出来;而VTT是端接用的,电流 会比较大,能达到百毫安级,还是需要用单独的电源芯片生成。 VTT:端接电阻,Terminationresister 对DDRSDRAM的控制管理 iMX23通过EMI控制器管理DDR...